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1. (WO2010076825) PROCÉDÉ POUR DOUBLE MOTIF POUR CRÉER UNE MATRICE RÉGULIÈRE DE PILIERS À DOUBLE ISOLATION DE TRANCHÉE PEU PROFONDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/076825    N° de la demande internationale :    PCT/IT2008/000813
Date de publication : 08.07.2010 Date de dépôt international : 30.12.2008
CIB :
H01L 27/102 (2006.01)
Déposants : NUMONYX B.V. [CH/CH]; Zone d'activités La Pièce 2 A-One Business Center, Route de l'Etraz CH-1180 Rolle (CH) (Tous Sauf US).
PELLIZER, Fabio [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
MARIANI, Marcello [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
SERVALLI, Giorgio [IT/IT]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : PELLIZER, Fabio; (IT).
MARIANI, Marcello; (IT).
SERVALLI, Giorgio; (IT)
Mandataire : FAGGIONI, Carlo Maria; Fumero Studio Consulenza Brevetti Via S. Agnese 12 I-20123 MILANO (IT)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DOUBLE PATTERNING METHOD FOR CREATING A REGULAR ARRAY OF PILLARS WITH DUAL SHALLOW TRENCH ISOLATION
(FR) PROCÉDÉ POUR DOUBLE MOTIF POUR CRÉER UNE MATRICE RÉGULIÈRE DE PILIERS À DOUBLE ISOLATION DE TRANCHÉE PEU PROFONDE
Abrégé : front page image
(EN)A method is disclosed for forming vertical bipolar junction transistors including a regular array of base contact pillars and emitter contact pillars with a width below the minimum lithographical resolution F of the lithographic technique employed. In an embodiment, the pillar array features have a dimension of approximately F/2, though this dimension could be reduced down to other values compatible with embodiments of the invention. A storage element, such as a phase change storage element, can be formed above the regular array of base contact pillars and emitter contact pillars.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de transistors à jonction bipolaire verticale comprenant une matrice régulière de piliers de contact de base et de piliers de contact émetteurs dont la largeur est inférieure à la résolution lithographique minimale F de la technique lithographique employée. Dans un mode de réalisation, les caractéristiques de la matrice de piliers présentent une dimension d'environ F/2, bien que cette dimension puisse être réduite à d'autres valeurs compatibles avec des modes de réalisation selon l'invention. Un élément d'enregistrement, comme un élément d'enregistrement à changement de phase, peut être formé au-dessus de la matrice régulière de piliers de contact de base et de piliers de contact émetteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)