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1. (WO2010076717) MICROÉLECTRODE À CONTACT SOLIDE SÉLECTIVE À L'ÉGARD DES IONS ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/076717    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/055669
Date de publication : 08.07.2010 Date de dépôt international : 10.12.2009
CIB :
G01N 27/333 (2006.01), G01N 27/403 (2006.01)
Déposants : UNIVERSIDADE DE AVEIRO [PT/PT]; Campus Universitário de Santiago P-3810-193 Aveiro (PT) (Tous Sauf US).
GUERREIRO SILVA FERREIRA, Mário [PT/PT]; (PT) (US Seulement).
ZHELUDKEVICH, Mikhail [PT/PT]; (PT) (US Seulement).
LAMAKA, Sviatlana [PT/PT]; (PT) (US Seulement)
Inventeurs : GUERREIRO SILVA FERREIRA, Mário; (PT).
ZHELUDKEVICH, Mikhail; (PT).
LAMAKA, Sviatlana; (PT)
Mandataire : VIEIRA PEREIRA FERREIRA, Maria Silvina; Clarke, Modet & Co. Rua Castilho, 50-9º P-1269-163 Lisboa (PT)
Données relatives à la priorité :
104313 31.12.2008 PT
Titre (EN) ION-SELECTIVE SOLID CONTACT MICROELECTRODE AND ITS PRODUCTION METHOD
(FR) MICROÉLECTRODE À CONTACT SOLIDE SÉLECTIVE À L'ÉGARD DES IONS ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)The presented invention relates to a needle-shaped ion-selective solid contact microelectrode with the length of the measuring point preferably but not limited to equal or less than 10 micron, particularly 0.5 - 10 micron, a method for producing such an electrode and use of an ion-selective solid contact microelectrode as a working electrode in different scanning measuring systems, such as SECM, SIET, MIFE and others, for measuring activity (concentration) of different ions in the modes of three-dimensional gradient scanning, plane two-dimensional scanning, vertical or horizontal profiling, one point measurements or any other point by point measurements over an active surface. For example, the present invention aims to substitute the glass-capillary microelectrodes used in localized measurements. The microelectrode of presented invention differs in its principles of construction and production opposed to that of solid-contact ion-selective electrodes. The invention describes a needle-shaped rigid electrically-conductive substrate (1); an insulation layer (4), except in the tip of said substrate (3); an electrically-conductive layer (6); and a layer of ion-selective membrane (7).
(FR)La présente invention porte sur une microélectrode à contact solide sélective à l'égard des ions et se présentent sous la forme d'aiguille, avec la longueur du point de mesure, de préférence, mais non limitée à ceci, égale ou inférieure à 10 microns, en particulier 0,5 - 10 microns, sur un procédé de production d'une telle électrode et sur l'utilisation d'une microélectrode à solide contact sélective à l'égard des ions comme électrode de travail dans différents systèmes de mesure à balayage, tels que SECM, SIET, MIFE et d'autres, pour la mesure de l'activité (concentration) de différents ions dans les modes de balayage à gradient tridimensionnel, de balayage bidimensionnel plan, de profilage vertical ou horizontal, de mesures à un point ou toute autre mesure point par point, sur une surface active. Par exemple, la présente invention vise à remplacer les microélectrodes capillaires en verre utilisées dans des mesures localisées. La microélectrode de la présente invention diffère dans son principe de construction et de production de celui des électrodes à contact solide sélective à l'égard des ions. Est également décrit un substrat électro-conducteur rigide sous forme d'aiguille (1) ; une couche d'isolation (4) sauf dans la pointe dudit substrat (3) ; une couche électro-conductrice (6) ; et une couche de membrane sélective à l'égard des ions (7).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)