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1. (WO2010076486) PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT DE CONNECTEUR COMPRENANT UN SUBSTRAT SUR LEQUEL EST DEPOSEE UNE COUCHE D'OR.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/076486    N° de la demande internationale :    PCT/FR2009/052545
Date de publication : 08.07.2010 Date de dépôt international : 15.12.2009
CIB :
C23C 14/48 (2006.01), H01R 13/03 (2006.01), C25D 5/34 (2006.01), C25D 5/48 (2006.01)
Déposants : QUERTECH INGENIERIE [FR/FR]; 7 rue Alfred Kastler F-14000 Caen (FR) (Tous Sauf US).
BUSARDO, Denis [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : BUSARDO, Denis; (FR)
Mandataire : VIGNESOULT, Serge; Cabinet Plasseraud 52 rue de la Victoire F-75440 Paris Cedex 09 (FR)
Données relatives à la priorité :
0858668 16.12.2008 FR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A CONNECTOR ELEMENT INCLUDING A SUBSTRATE ON WHICH A LAYER OF GOLD IS DEPOSITED
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT DE CONNECTEUR COMPRENANT UN SUBSTRAT SUR LEQUEL EST DEPOSEE UNE COUCHE D'OR.
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for manufacturing a connector element including a substrate on which a layer of gold is deposited, which includes the following consecutive steps: a) providing a substrate (20); b) treating a surface of the substrate (20) by ion bombardment using an ion beam, wherein the ions are selected from among He, N, Ar, Kr, Xe; c) depositing a porous layer of gold (10) by electrolytic means onto the thus-treated surface of the substrate (20); d) treating the porosity of the porous layer of gold (10) by ion bombardment using an ion beam, wherein the ions are selected from among He, N, Ne, Ar, Kr, Xe. The method provides connector elements with enhanced properties.
(FR)Procédé de fabrication d'un élément de connecteur comprenant un substrat sur lequel est déposée une couche d'or qui comprend les étapes successives suivantes : a) approvisionnement d'un substrat (20); b) traitement par bombardement ionique grâce à un faisceau d'ions, d'une surface du substrat (20) où les ions sont choisis parmi He, N, Ar, Kr, Xe; c) dépôt d'une couche d'or poreuse (10) par voie électrolytique sur la surface ainsi traitée du substrat (20); d) traitement par bombardement ionique grâce à un faisceau d'ions de la porosité de la couche d'or poreuse (10) où les ions sont choisis parmi He, N, Ne, Ar, Kr, Xe. Il en résulte des éléments de connecteurs aux propriétés améliorées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)