WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010076191) PROCÉDÉS DE FABRICATION DE NANOSTRUCTURES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/076191    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/067173
Date de publication : 08.07.2010 Date de dépôt international : 15.12.2009
CIB :
H01L 29/16 (2006.01), H01L 29/161 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; P.O. Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
ANDERSON, Brent, Alan [US/US]; (US) (US Seulement).
BRYANT, Andres [US/US]; (US) (US Seulement).
NOWAK, Edward [US/US]; (US) (US Seulement).
SLEIGHT, Jeffrey [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ANDERSON, Brent, Alan; (US).
BRYANT, Andres; (US).
NOWAK, Edward; (US).
SLEIGHT, Jeffrey; (US)
Mandataire : WILLIAMS, Julian, David; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
12/344,696 29.12.2008 US
Titre (EN) METHODS OF FABRICATING NANOSTRUCTURES
(FR) PROCÉDÉS DE FABRICATION DE NANOSTRUCTURES
Abrégé : front page image
(EN)A method is shown for fabricating nanostructures, and more particularly, to methods of fabricating silicon nanowires. The method of manufacturing a nanowire includes forming a sandwich structure of SiX material and material Si over a substrate and etching the sandwich structure to expose sidewalls of the Si material and the SiX material. The method further includes etching the SiX material to expose portions of the Si material and etching the exposed portions of the Si material. The method also includes breaking away the Si material to form silicon nanowires.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication de nanostructures et, plus précisément, sur des procédés de fabrication de nanofils de silicium. Le procédé de fabrication d'un nanofil comprend la formation d'une structure sandwich d'un matériau SiX et d'un matériau Si sur un substrat et la gravure de la structure sandwich pour exposer des parois latérales du matériau Si et du matériau SiX. Le procédé comprend en outre la gravure du matériau SiX pour exposer des parties du matériau Si et la gravure des parties exposées du matériau Si. Le procédé comprend également la séparation du matériau Si pour former des nanofils de silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)