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1. (WO2010075124) FABRICATION D'UNE COUCHE DE NITRURE DE GALLIUM AVEC DES COUCHES DE DIAMANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/075124    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/068178
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 16.12.2009
CIB :
H01L 21/335 (2006.01), H01L 29/267 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01)
Déposants : RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, MA 02451-1449 (US) (Tous Sauf US).
KORENSTEIN, Ralph [US/US]; (US) (US Seulement).
BERNSTEIN, Steven, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
PEREIRA, Stephen, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KORENSTEIN, Ralph; (US).
BERNSTEIN, Steven, D.; (US).
PEREIRA, Stephen, J.; (US)
Mandataire : MOOSEY, Anthony, T.; Daly, Crowley, Mofford & Durkee, LLP Suite 301A 354A Turnpike St. Canton, MA 02021 (US)
Données relatives à la priorité :
12/341,191 22.12.2008 US
Titre (EN) FABRICATING A GALLIUM NITRIDE LAYER WITH DIAMOND LAYERS
(FR) FABRICATION D'UNE COUCHE DE NITRURE DE GALLIUM AVEC DES COUCHES DE DIAMANT
Abrégé : front page image
(EN)In one aspect, a method includes fabricating a gallium nitride (GaN) layer with a first diamond layer having a first thermal conductivity and a second diamond layer having a second thermal conductivity greater than the first thermal conductivity. The fabricating includes using a microwave plasma chemical vapor deposition (CVD) process to deposit the second diamond layer onto the first diamond layer.
(FR)Le procédé selon l'invention comprend la fabrication d'une couche de nitrure de gallium (GaN) avec une première couche de diamant dotée d'une première conductivité thermique et une seconde couche de diamant dotée d'une seconde conductivité thermique supérieure à la première conductivité thermique. La fabrication comprend l'utilisation d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma micro-ondes afin de déposer la seconde couche de diamant sur la première couche de diamant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)