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1. (WO2010074514) PROCÉDÉ DE CROISSANCE D'UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEURS NITRURES DU GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/074514    N° de la demande internationale :    PCT/KR2009/007736
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 23.12.2009
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 33/30 (2010.01)
Déposants : EPIVALLEY CO., LTD. [KR/KR]; #321 Gongdan-Dong Gumi-city, Gyungbuk 730-030 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Ho Sang [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Joong Seo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JUNG, Tae Hoon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
JEONG, Jong Pil [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Ho Sang; (KR).
PARK, Joong Seo; (KR).
JUNG, Tae Hoon; (KR).
JEONG, Jong Pil; (KR)
Mandataire : AN, Sang Jeong; 7F, Tower A Advanced Institutes of Convergence Technology Iui-dong, Yeongtong-gu Suwon-si, Gyeonggi-do 443-270 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2008-0132755 24.12.2008 KR
Titre (EN) METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE D'UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEURS NITRURES DU GROUPE III
(KO) 3족 질화물 반도체층을 성장시키는 방법
Abrégé : front page image
(EN)This disclosure relates to a method for growing a group III nitride semiconductor layer on a substrate, comprising: an inhibition step of inhibiting concave bowing below a substrate in at least one direction; and a growth step of growing a group III nitride semiconductor layer so that the group III nitride semiconductor layer may be integrated with the substrate while the substrate is in the inhibition step.
(FR)L'invention concerne un procédé de croissance d'une couche de semi-conducteurs nitrures du groupe III sur un substrat, ce procédé comprenant une étape d'inhibition consistant à inhiber une courbure concave sous un substrat dans au moins une direction, ainsi qu'une étape de croissance consistant à faire croître une couche de semi-conducteurs nitrures du groupe III de sorte que ladite couche puisse être intégrée avec le substrat au cours de l'étape d'inhibition dudit substrat.
(KO)본 개시는 기판 위에 3족 질화물 반도체층을 성장시키는 방법에 있어서, 기판의 아래로 오목한 휨(Convave Bowing)을 적어도 한 방향으로 억제하는 억제 단계; 그리고, 기판이 억제 단계에 놓인 상태에서 기판과 일체가 되도록 3족 질화물 반도체층을 성장시키는 성장 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체층을 성장시키는 방법에 관한 것이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)