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1. (WO2010074486) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSEAU ANTIRÉFLÉCHISSANT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF OPTIQUE À MOTIF DE RÉSEAU ANTIRÉFLÉCHISSANT INTÉGRÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/074486    N° de la demande internationale :    PCT/KR2009/007673
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 22.12.2009
CIB :
G02B 1/11 (2006.01), G02B 5/18 (2006.01)
Déposants : GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [KR/KR]; 1 Oryong-Dong, Buk-Gu Gwangju 500-712 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Yong Tak [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SONG, Young Min [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Yong Tak; (KR).
SONG, Young Min; (KR)
Mandataire : JEONG, Tae Hoon; TNI Patent & Law Office 7th Floor, Anyang Building 968, Daechi-Dong Gangnam-Gu Seoul 135-848 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2008-0133583 24.12.2008 KR
Titre (EN) METHOD FOR FORMING AN ANTIREFLECTIVE GRATING PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTICAL DEVICE WITH AN INTEGRATED ANTIREFLECTIVE GRATING PATTERN
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSEAU ANTIRÉFLÉCHISSANT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF OPTIQUE À MOTIF DE RÉSEAU ANTIRÉFLÉCHISSANT INTÉGRÉ
(KO) 무반사 격자패턴의 제조방법 및 무반사 격자패턴이 집적된 광소자의 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for forming an antireflective grating pattern, and to a method for manufacturing an optical device with an integrated antireflective grating pattern. The method for forming an antireflective grating pattern comprises the steps of: forming a photoresist pattern on a substrate by hologram lithography; forming a photoresist lens pattern having a radius of curvature of a predetermined size by enabling a reflow of the photoresist pattern; and etching the entire surface of the substrate including the photoresist lens pattern to form a sharp end wedge-type or parabola-type antireflective grating pattern having a period shorter than the optical wavelength on the upper surface of the substrate. The method of the present invention simplifies the forming process of an antireflective grating pattern, minimizes the reflection of light caused by the difference in refractive indexes between the air and semiconductor material, and can be easily used in the field of optical devices.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de motif de réseau antiréfléchissant, et un procédé de production d'un dispositif optique à motif de réseau antiréfléchissant intégré. Ledit procédé de formation d'un dispositif optique à motif de réseau antiréfléchissant intégré consiste à : former un motif de film photosensible sur un substrat par lithographie holographique, ce qui permet la refusion du motif de film photosensible afin de former un motif de lentille de film photosensible présentant un rayon de courbure de dimension prédéterminée; et graver la totalité de la surface du substrat comprenant le motif de lentille de film photosensible pour former un motif de réseau antiréfléchissant de type coin à extrémité pointue ou de type parabole présentant un cycle plus court que la longueur d'onde optique sur la surface supérieure du substrat. Le procédé de l'invention permet de simplifier les processus de production, de limiter la réflexion de la lumière entraînée par la différence des indices de réfraction entre l'air et un matériau semi-conducteur, et de faciliter son utilisation dans le domaine des dispositifs optiques.
(KO)본 발명은 무반사 격자패턴의 제조방법 및 무반사 격자패턴이 집적된 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 홀로그램 리소그라피를 이용하여 감광막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 리플로우(Reflow)시켜 일정 크기의 곡률 반경을 갖는 감광막 렌즈 패턴을 형성하는 단계와, 상기 기판 자체의 상면에 광파장 이하의 주기를 갖는 끝이 뾰족한 쐐기형 또는 파라볼라형의 무반사 격자패턴이 형성되도록 상기 감광막 렌즈 패턴을 포함한 기판의 전면을 식각하는 단계를 포함함으로써, 제조 공정이 간단하며, 공기와 반도체 물질간의 굴절률차로 인해 발생하는 빛의 반사량을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 광소자(optical device) 분야에 용이하게 적용할 수 있는 효과가 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)