WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010074180) PROCEDE DE FABRICATION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET FOUR DE REACTION MIS EN OEUVRE DANS CE PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/074180    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/071497
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 24.12.2009
CIB :
C01B 33/033 (2006.01), C25B 1/26 (2006.01), C25C 3/04 (2006.01), C22B 5/04 (2006.01), C22B 19/20 (2006.01)
Déposants : OGASAWARA, Tadashi [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : OGASAWARA, Tadashi; (JP)
Mandataire : KITAMURA, Koji; Seiju IP Firm AP Bldg., 4-5-14, Nishitenma, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-333769 26.12.2008 JP
2008-333785 26.12.2008 JP
Titre (EN) POLYCRYSTALLINE SILICON MANUFACTURING METHOD AND REACTION FURNACE USED THEREFOR
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET FOUR DE REACTION MIS EN OEUVRE DANS CE PROCEDE
(JA) 多結晶シリコンの製造方法及びこれに用いる反応炉
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing highly pure polycrystalline silicon by reducing chlorosilane with metallic zinc whereby a large amount of polycrystalline silicon can be produced continuously and stably while zinc chloride is processed without using hydrolysis of the zinc chloride. Further disclosed is a reaction furnace used for said method. Chlorosilane and metallic zinc are reacted, producing polycrystalline silicon. The polycrystalline silicon and zinc chloride are separated from the reaction product obtained by reacting the chlorosilane and the metallic zinc. Metallic zinc and magnesium chloride are produced by reacting the separated zinc chloride with metallic magnesium. The metallic zinc that is produced is used in a reaction with chlorosilane. Chlorine and metallic magnesium are produced by electrolysis of the magnesium chloride that is produced. The chlorine that is produced is used for the production of chlorosilane. The metallic magnesium that is produced is used in a reaction with the zinc chloride that has been separated.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de silicium polycristallin haute pureté, consistant à réduire du chlorosilane au moyen de zinc métallique et permettant de produire une grande quantité de silicium polycristallin de façon continue et stable pendant que du chlorure de zinc est traité sans hydrolyse. L'invention concerne également un four de réaction mis en oeuvre dans ce procédé. Selon l'invention, du chlorosilane et du zinc métallique sont mis en réaction, ce qui produit du silicium polycristallin. Le silicium polycristallin et le chlorure de zinc sont séparés du produit de réaction obtenu par la mise en réaction du chlorosilane et du zinc métallique. Du zinc métallique et du chlorure de magnésium sont produits par la mise en réaction du chlorure de zinc séparé avec du magnésium métallique. Le zinc métallique produit est utilisé dans une réaction avec du chlorosilane. Du chlore et du magnésium métallique sont produits par électrolyse du chlorure de magnésium produit. Le chlore produit est utilisé dans la production de chlorosilane. Le magnésium métallique produit est utilisé dans une réaction avec le chlorure de zinc qui a été séparé.
(JA) クロルシランを金属亜鉛で還元して高純度の多結晶シリコンを製造する方法において、塩化亜鉛の電解を用いずに塩化亜鉛を処理しつつ、シリコンを多量で安定的に連続生成させることの可能な多結晶シリコンの製造方法及びこれに用いる反応炉を提供すること。 クロルシランと金属亜鉛を反応させ多結晶シリコンを製造する。クロルシランと金属亜鉛を反応させて得られる反応生成物から多結晶シリコンと塩化亜鉛とを分離する。分離した塩化亜鉛を金属マグネシウムと反応させることにより金属亜鉛と塩化マグネシウムを生成させる。生成した金属亜鉛はクロルシランとの反応に使用する。生成した塩化マグネシウムを電気分解することによって塩素と金属マグネシウムとを生成する。生成した塩素はクロルシランの製造用に使用する。生成した金属マグネシウムは分離した塩化亜鉛との反応に使用する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)