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1. (WO2010074132) ELÉMENT DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/074132    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/071410
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 24.12.2009
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
FUKAMI Shunsuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGAHARA Kiyokazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI Tetsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIWATA Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHSHIMA Norikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUKAMI Shunsuke; (JP).
NAGAHARA Kiyokazu; (JP).
SUZUKI Tetsuhiro; (JP).
ISHIWATA Nobuyuki; (JP).
OHSHIMA Norikazu; (JP)
Mandataire : KUDOH Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1400013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-330508 25.12.2008 JP
2009-229597 01.10.2009 JP
Titre (EN) MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) ELÉMENT DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気メモリ素子及び磁気ランダムアクセスメモリ
Abrégé : front page image
(EN)A magnetic memory cell includes a magnetic recording layer and a magnetic tunnel junction unit.  The magnetic recording layer is a ferromagnetic layer having a vertical magnetic anisotropy.  The magnetic tunnel junction unit is used for reading out information from the magnetic recording layer.  The magnetic recording layer has a plurality of magnetic wall moving domains.
(FR)La présente invention a pour objet une cellule de mémoire magnétique comprenant une couche d'enregistrement magnétique et une unité jonction à effet tunnel magnétique. La couche d'enregistrement magnétique est une couche ferromagnétique présentant une anisotropie magnétique verticale. L'unité jonction à effet tunnel magnétique est utilisée pour lire des informations à partir de la couche d'enregistrement magnétique. La couche d'enregistrement magnétique possède une pluralité de domaines de déplacement de parois magnétiques.
(JA) 磁気メモリセルは、磁化記録層と、磁気トンネル接合部とを具備する。磁化記録層は、垂直磁気異方性を有する強磁性層である。磁気トンネル接合部は、磁化記録層の情報を読み出すためのものである。そして、磁化記録層は、複数の磁壁移動領域を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)