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1. (WO2010074074) ÉLÉMENT OPTIQUE DE TRANSMISSION DE RAYONNEMENT DE LUMIÈRE INFRAROUGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION AINSI QUE DISPOSITIF OPTIQUE ET ÉQUIPEMENT OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/074074    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/071315
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 22.12.2009
CIB :
G02B 5/22 (2006.01), G01J 5/08 (2006.01), G02B 1/02 (2006.01), C01B 33/03 (2006.01)
Déposants : Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1,Higashikotari 1-chome,Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
Kyoto University [JP/JP]; 36-1,Yoshida-honmachi,Sakyo-ku,Kyoto-shi, Kyoto 6068501 (JP) (Tous Sauf US).
Tokuyama Corporation [JP/JP]; 1-1,Mikage-cho,Shunan-shi, Yamaguchi 7458648 (JP) (Tous Sauf US).
FUJII Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRAO Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKATA Kanji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUJII Takashi; (JP).
HIRAO Kazuyuki; (JP).
SAKATA Kanji; (JP)
Mandataire : KUNIHIRO Yasutoshi; 10F, Samty shinosaka front Bldg., 14-10, Nishinakajima 5-chome, Yodogawaku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-328241 24.12.2008 JP
Titre (EN) INFRARED LIGHT-TRANSMITTING OPTICAL MEMBER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, OPTICAL DEVICE, AND OPTICAL APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT OPTIQUE DE TRANSMISSION DE RAYONNEMENT DE LUMIÈRE INFRAROUGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION AINSI QUE DISPOSITIF OPTIQUE ET ÉQUIPEMENT OPTIQUE
(JA) 赤外光線用透過光学部材とその製造方法、光学デバイス、及び光学装置
Abrégé : front page image
(EN)The optical member is made of polycrystalline silicon formulated using high-purity trichlorosilane as the starting material and absorbs/scatters infrared light in a wavelength range of 4 µm or less. More specifically, the ratio (A/B) between the transmittance (A) of infrared light at a 4 µm wavelength and the transmittance (B) of infrared light at a 10 µm wavelength is 0.9 or less. In addition, the average crystal grain size of the polycrystalline silicon is 5 µm or less. The polycrystalline silicon is produced using a chemical deposition vapor method by heating a base material to 800‑900°C and reducing SiHCl3 with hydrogen. As a result, an infrared light-transmitting optical member capable of high-sensitivity, high-precision sensing of a human body and a manufacturing method thereof, an optical device, an infrared detector, and an optical apparatus are realized.
(FR)L'élément optique de cette invention comprend, en tant que matière première, un silicium polycristallin formé d'un trichlorosilane d'un degré de pureté élevé, et absorbe/diffuse un rayonnement de lumière infrarouge d'une gamme de longueur d'onde inférieure ou égale à 4μm. Concrètement, le ratio A/B entre la transmittance (A) d'un rayonnement infrarouge d'une longueur d'onde de 4μm et la transmittance (B) d'un rayonnement infrarouge d'une longueur d'onde de 10μm est inférieur ou égal à 0,9. En outre, le diamètre moyen des grains de silicium polycristallin est inférieur ou égal à 5μm. Ce silicium polycristallin utilise un dépôt chimique en phase vapeur et, par chauffage d'un substrat à une température comprise entre 800 et 900°C, produit un SiHCl3 par réduction d'hydrogène. Ainsi sont réalisés un élément optique de transmission de rayonnement de lumière infrarouge permettant aisément de percevoir le corps humain avec précision et avec une sensibilité élevée, ainsi que son procédé de fabrication, un dispositif optique, un appareil de détection à rayonnement infrarouge et un équipement optique.
(JA) 高純度のトリクロロシランを原料として形成された多結晶シリコンからなり、4μm以下の波長域の赤外光線を吸収・散乱する。具体的には、波長4μmにおける赤外線の透過率Aと波長10μmにおける赤外線の透過率Bとの比A/Bが0.9以下とした。また、多結晶シリコンの平均結晶粒径は5μm以下である。この多結晶シリコンは、化学蒸着法を使用し、基材を800~900℃に加熱してSiHClを水素還元して作製する。これにより人体を高感度で精度良く感知できる赤外光線用透過光学部材とその製造方法、光学デバイス、赤外線検出器、及び光学装置を実現する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)