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1. (WO2010073980) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/073980    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/071112
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 18.12.2009
CIB :
H01L 51/42 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (Tous Sauf US).
NAITO Hiroto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIMOTO Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAITO Hiroto; (JP).
YOSHIMOTO Naoki; (JP)
Mandataire : ASAMURA PATENT OFFICE, p.c.; Room 331, New Ohtemachi Bldg., 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-326803 24.12.2008 JP
Titre (EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a photovoltaic device that comprises a transparent conductor layer that is formed on an optically transparent substrate, an electron blocking layer that covers the surface of said transparent conductor layer, a bulk heterojunction photovoltaic layer that touches said electron blocking layer, a hole blocking layer that covers the surface of said photovoltaic layer, and a counter electrode that covers said hole blocking layer, wherein the aforementioned hole blocking layer is configured from a material with a band gap of 3.0 eV or greater, which prevents the migration of positive holes from the photovoltaic layer, controlling recombination and leakage current.
(FR)L'invention consiste en un élément de conversion photoélectrique possédant une couche de conducteur transparent formée sur un substrat possédant des propriétés de transmission de lumière, une couche de blocage d'électrons recouvrant la face antérieure de ladite couche de conducteur transparent, une couche de conversion photoélectrique de type hétéro-jonction volumique connectée à ladite couche de blocage d'électrons, une couche de blocage de trous recouvrant la face antérieure de ladite couche de conversion photoélectrique, et une contre-électrode recouvrant ladite couche de blocage de trous. La couche de blocage de trous susmentionnée, qui est composée d'un matériau possédant une bande interdite supérieure ou égale à 3,0eV, empêche le déplacement des trous depuis la couche de conversion photoélectrique et inhibe la recombinaison et le courant de fuite.
(JA) 光透過性の基板上に形成された透明導電体層と、該透明導電体層の表面を覆う電子防止層と、該電子防止層と接するバルクへテロ接合型光電変換層と、該光電変換層の表面を覆う正孔防止層と、該正孔防止層を覆う対極電極とを有する光電変換素子とし、前記正孔防止層をバンドギャップが3.0eV以上を有する材料で構成し、光電変換層からの正孔の移動を防止し、再結合またはリーク電流を抑制する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)