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1. (WO2010073897) ELÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/073897    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/070469
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 07.12.2009
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1,Shiba 5-chome,Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
SAKOTSUBO,Yukihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TERAI,Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKOTSUBO,Yukihiro; (JP).
TERAI,Masayuki; (JP)
Mandataire : YAMAKAWA, Masaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-333163 26.12.2008 JP
Titre (EN) VARIABLE RESISTANCE ELEMENT
(FR) ELÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE
(JA) 抵抗変化素子
Abrégé : front page image
(EN)A variable resistance element which comprises a lower electrode (101), an upper electrode (103) and a variable resistance layer (102) that is positioned between the lower electrode (101) and the upper electrode (103).  The variable resistance layer (102) comprises a nickel oxide layer (121) and an amorphous tantalum oxide layer (122) and the nickel oxide layer (121) is formed in such a manner as being in contact with the lower electrode (101).  Preferably, the tantalum oxide layer (122) has a stoichiometric composition.  Basically, the lower electrode (101) and the upper electrode (103) only need to be conductive.
(FR)La présente invention concerne un élément à résistance variable qui comprend une électrode inférieure (101), une électrode supérieure (103) et une couche à résistance variable (102) qui est positionnée entre l'électrode inférieure (101) et l'électrode supérieure (103). La couche à résistance variable (102) comprend une couche d'oxyde de nickel (121) et une couche d'oxyde de tantale amorphe (122), et la couche d'oxyde de nickel (121) est formée de façon à être en contact avec l'électrode inférieure (101). De préférence, la couche d'oxyde de tantale (122) possède une composition stœchiométrique. A la base, l'électrode inférieure (101) et l'électrode supérieure (103) ont seulement besoin d'être conductrices.
(JA) 下部電極(101)、上部電極(103)、および下部電極(101)と上部電極(103)とに挟まれた抵抗変化層(102)を備える。また、抵抗変化層(102)は、酸化ニッケル層(121)および非晶質の酸化タンタル層(122)を有し、酸化ニッケル層(121)は、下部電極(101)に接して形成されている。酸化タンタル層(122)は、ストイキオメトリックな組成であることが望ましい。下部電極(101)および上部電極(103)は、基本的に導電性を有していれば良い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)