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1. (WO2010073883) ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/073883    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/070238
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 02.12.2009
CIB :
H01L 33/42 (2010.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (Tous Sauf US).
MURAMOTO Eiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NUNOUE Shinya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MURAMOTO Eiji; (JP).
NUNOUE Shinya; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE Kenji; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-329619 25.12.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ELÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light-emitting element which comprises a p-electrode having ohmic properties and transparency improved as much as possible.  The semiconductor light-emitting element comprises: a substrate; an n-type semiconductor layer formed on the substrate; an active layer which is formed on a first region of the n-type semiconductor layer and emits light; a p-type semiconductor layer formed on the active layer; a p-electrode which is formed on the p-type semiconductor layer and has a first conductive oxide layer having an oxygen content of less than 40 atom%; and an n-electrode formed on a second region of the n-type semiconductor layer.
(FR)La présente invention concerne un élément électroluminescent semi-conducteur qui comprend une électrode p présentant des propriétés ohmiques et une transparence améliorée autant que possible. L'élément électroluminescent semi-conducteur comprend : un substrat ; une couche semi-conductrice du type n formée sur le substrat ; une couche active qui est formée sur une première région de la couche semi-conductrice du type n et qui émet de la lumière ; une couche semi-conductrice du type p formée sur la couche active ; une électrode p qui est formée sur la couche semi-conductrice du type p et comporte une première couche d'oxyde conducteur possédant une teneur en oxygène inférieure à 40 % at. ; et une électrode n formée sur une seconde région de la couche semi-conductrice du type n.
(JA) オーミック性および透過性が可及的に良いp電極を備えた半導体発光素子を提供することを可能にする。基板と、基板上に設けられたn型半導体層と、n型半導体層の第1の領域上に設けられ発光する活性層と、活性層上に設けられたp型半導体層と、p型半導体層上に設けられ酸素含有率が40原子%未満の第1の導電性酸化物層を有するp電極と、n型半導体層の第2の領域上に設けられるn電極と、を備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)