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1. (WO2010073669) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT QUI UTILISE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/073669    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/007193
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 24.12.2009
CIB :
C23C 14/54 (2006.01)
Déposants : CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 5-1, Kurigi 2-chome, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUMURA, Yasuharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUMURA, Yasuharu; (JP)
Mandataire : WATANABE, Keisuke; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-332853 26.12.2008 JP
Titre (EN) FILM FORMATION DEVICE AND SUBSTRATE FABRICATION METHOD USING SAME
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT QUI UTILISE CELUI-CI
(JA) 成膜装置およびそれを用いた基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a film formation device that forms a film under a gas supply on a substrate (1) that is continuously fed inside a vacuum chamber (7), which is constituted so that uniform flows of gas can be easily supplied simultaneously to two film formation zones (14a, 14b) so that highly uniform film material can be efficiently formed. In the film formation device (C): the vacuum chamber (7) is divided by a bulkhead (8) into a film formation chamber (9a), which contains a feed path for the substrate (1), and an air exhaust chamber (9b), which is connected to an air exhaust device (18); the film formation chamber (9a) is provided with a gas supply unit (10) at the center in the front-to-back direction, on the opposite side from a bulkhead (8) with the feed path for the substrate (1) interposed therebetween, and front and rear sputtering cathodes (12a, 12b) which are respectively disposed before and after the gas supply unit (10); and the bulkhead (8) [A1] is provided with front and rear exhaust ports which are respectively disposed to the front of the front sputtering cathode (12a) and to the rear of the rear sputtering cathode (12b).
(FR)L'invention concerne un dispositif de formation de film qui forme un film dans une condition de distribution de gaz sur un substrat (1) qui est amené de façon continue à l'intérieur d'une chambre à vide (7), qui est constituée de telle sorte que des écoulements uniformes de gaz puissent être facilement appliqués simultanément sur deux zones de formation de film (14a, 14b) de telle sorte qu'une matière de film hautement uniforme puisse être formée efficacement. Dans le dispositif de formation de film (C), la chambre à vide (7) est divisée par une cloison (8) en une chambre de formation de film (9a), qui contient un chemin d'alimentation pour le substrat (1), et une chambre d'échappement d'air (9b), qui est connectée à un dispositif d'échappement d'air (18); la chambre de formation de film (9a) est équipée d'une unité de distribution de gaz (10) au centre dans la direction d'avant en arrière, sur le côté opposé par rapport à une cloison (8), avec le chemin d'alimentation pour le substrat (1) qui est interposé entre les deux, et des cathodes de pulvérisation (12a, 12b) qui sont respectivement disposées avant et après l'unité de distribution de gaz (10); et la cloison (8) comporte des ports d'échappement avant et arrière qui sont respectivement disposés à l'avant de la cathode de pulvérisation avant (12a) et à l'arrière de la cathode de pulvérisation arrière (12b).
(JA) 真空チャンバ7内を連続して搬送される基板1に対し、ガスの供給下で成膜を行う成膜装置において、2箇所の成膜領域14a,14bに、同時に均一な流れでガスを容易に供給できるようにし、均一性の高い膜質の成膜を効率良く行うことができるようにする。  真空チャンバ7中を、仕切り板8によって、前記基板1の搬送経路を含む成膜室9aと、排気装置18に接続された排気室9bとに仕切り、前記成膜室9aには、前記基板1の搬送経路を挟んで仕切り板8とは反対側に、前後方向中央部にガス供給部10を設けると共に、該ガス供給部10の前後に、それぞれ前部および後部スパッタリングカソード12a,12bを設け、前記仕切り壁8には、前記前部スパッタリングカソード12aより前方と、前記後部スパッタリングカソード12bより後方とに、それぞれ前部および後部排気口を設けた成膜装置Cとする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)