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1. (WO2010073413) APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR SPHÉRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/073413    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/073948
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 25.12.2008
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), C01B 33/02 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : Shibaura Institute of Technology [JP/JP]; 3-7-5, Toyosu, Koto-ku, Tokyo 1358548 (JP) (Tous Sauf US).
NAGAYAMA, Katsuhisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKUDA, Yusuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAGAYAMA, Katsuhisa; (JP).
SAKUDA, Yusuke; (JP)
Mandataire : KUDO, Ichiro; Yurakucho Denki Bldg. South Tower 7-1, Yurakucho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) APPARATUS FOR MANUFACTURING SPHERICAL SEMICONDUCTOR
(FR) APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR SPHÉRIQUE
(JA) 球状半導体の製造装置
Abrégé : front page image
(EN)With an apparatus and a method for manufacturing a spherical semiconductor of the prior art, a spherical semiconductor is obtained by melting a semiconductor material in a floating state and by dropping the molten semiconductor material in a drop tube. This method has been unsuitable for manufacturing a large quantity of spherical semiconductor, because the semiconductor material is dropped one by one after being floated and then molten. The spherical semiconductor manufacturing apparatus comprises a hopper having a funnel for dripping a semiconductor material, which has been heated and molten in an electromagnetic induction manner, bit by bit, an induction-heating coil arranged to enclose the semiconductor-charged region of the hopper so as to apply the electromagnetic force, a drop tube for cooling the semiconductor material dripped in a molten state from the hopper, into a spherical shape, and a receiving unit for receiving the spherical semiconductor which has been cooled, while dropping in the drop tube, into the solid state. Thus, it is possible to manufacture a large quantity of spherical semiconductor easily.
(FR)Avec un appareil et un procédé de fabrication d'un semi-conducteur sphérique de l'art antérieur, un semi-conducteur sphérique est obtenu en fondant un matériau semi-conducteur dans un état flottant et en déversant le matériau semi-conducteur fondu dans un tube de déversement. Ce procédé était inapproprié pour fabriquer une grande quantité de semi-conducteurs sphériques, parce que les matériaux semi-conducteurs sont déversés un par un après avoir flotté et ensuite fondu. Le dispositif de fabrication de semi-conducteur sphérique comprend une trémie comportant une cheminée pour faire tomber en goutte à goutte le matériau semi-conducteur, qui a été chauffé et fondu par induction électromagnétique, morceau par morceau, une bobine de chauffage par induction agencée de manière à entourer la zone chargée en semi-conducteur de la trémie de manière à appliquer la force électromagnétique, un tube de déversement pour refroidir le matériau semi-conducteur tombant en goutte à goutte dans un état fondu de la trémie, en une forme sphérique, et une unité de réception pour recevoir le semi-conducteur sphérique qui a été refroidi, tout en étant déversé dans le tube de déversement, dans l'état solide. Ainsi, il est possible de fabriquer facilement une grande quantité de semi-conducteurs sphériques.
(JA)【課題】従来の球状半導体の製造装置および製造方法は、半導体材料を浮遊状態で溶融し、それをドロップチューブ中を落下させることで、球状の半導体を得ていた。この方法では、半導体材料を一つ一つ浮遊させ、溶融させてから落下させるため、大量の球状半導体を製造するには不向きであった。【解決手段】そこで本件発明では、電磁誘導加熱溶融された半導体材料を少量ずつ滴下可能なロートを有するホッパーと、前記電磁力を印加するためにホッパーの半導体装填領域を取り囲むように配置された誘導加熱コイルと、ホッパーから滴下される溶融状態の半導体材料を冷却し球状化するためのドロップチューブと、ドロップチューブ内を落下し冷却されて固体状態となった球状半導体を受けるための受容部と、を有する球状半導体の製造装置を提供する。これにより、大量の球状半導体を容易に製造することが可能となる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)