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1. (WO2010073390) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET MATÉRIAU POUR FORMER UNE COUCHE DE REVÊTEMENT DE MOTIF DE RÉSERVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/073390    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/073809
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 26.12.2008
CIB :
G03F 7/40 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
KOZAWA, Miwa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOZAKI, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOZAWA, Miwa; (JP).
NOZAKI, Koji; (JP)
Mandataire : HIROTA, Koichi; HIROTA, NAGARE & ASSOCIATES 4th Floor, Shinjuku TR Bldg. 2-2-13, Yoyogi Shibuya-ku, Tokyo 1510053 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR FORMING PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MATERIAL FOR FORMING COATING LAYER OF RESIST PATTERN
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET MATÉRIAU POUR FORMER UNE COUCHE DE REVÊTEMENT DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) パターンの形成方法及び半導体装置の製造方法、並びにレジストパターンの被覆層の形成材料
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for forming a pattern, wherein a pattern having a size larger than the exposure limit (resolution limit) of a current exposure light source can be formed on a surface to be processed. Also disclosed are a method for manufacturing a semiconductor device and a material for forming a coating layer of a resist pattern. Specifically disclosed is a method for forming a pattern, which is characterized by comprising a first resist pattern-forming step wherein a first resist pattern is formed, a coating layer-forming step wherein a coating layer composed of a coating material is so formed as to cover the surface of the first resist pattern, and a second resist pattern-forming step wherein a second resist pattern is formed.
(FR)L'invention porte sur un procédé pour former un motif, un motif ayant une dimension supérieure à la limite d'exposition (limite de résolution) d'une source de lumière d'exposition actuelle pouvant être formé sur une surface devant être traitée. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs et sur un matériau pour former une couche de revêtement d'un motif de réserve. L'invention porte particulièrement sur un procédé de formation d'un motif qui est caractérisé en ce qu'il comporte une première étape de formation de motif de réserve dans laquelle un premier motif de réserve est formé, une étape de formation de couche de revêtement dans laquelle une couche de revêtement composée d'un matériau de revêtement est formée de façon à recouvrir la surface du premier motif de réserve, et une étape de formation de second motif de réserve dans laquelle un second motif de réserve est formé.
(JA) 現在の露光光源の露光限界(解像限界)を超えるパターンサイズのパターンを被加工面に形成することができるパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法、並びに、レジストパターンの被覆層の形成材料の提供。 本発明のパターンの形成方法は、第1のレジストパターンを形成する第1のレジストパターン形成工程と、前記第1のレジストパターンの表面を覆うように、被覆材料による被覆層を形成する被覆層形成工程と、第2のレジストパターンを形成する第2のレジストパターン形成工程とを含むことを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)