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1. (WO2010073136) CAPTEUR DE LUMIÈRE À GRANDE DYNAMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/073136    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/055192
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 19.11.2009
CIB :
G01T 1/20 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH [DE/DE]; Lübeckertordamm 5 20099 Hamburg (DE) (DE only).
FRACH, Thomas [DE/DE]; (NL) (US Seulement).
PRESCHER, Gordian [DE/DE]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : FRACH, Thomas; (NL).
PRESCHER, Gordian; (NL)
Mandataire : BEKKERS, Joost, J., J.; High Tech Campus Building 44 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
61/139,735 22.12.2008 US
Titre (EN) HIGH DYNAMIC RANGE LIGHT SENSOR
(FR) CAPTEUR DE LUMIÈRE À GRANDE DYNAMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)When detecting photons in a computed tomography (CT) detector, a sensor (10, 38) includes a photodiode that is switchable between liner and Geiger operation modes to increase sensing range. When signal to noise ratio (SNR) is high, a large bias voltage is applied to the photodiode (12) to charge it beyond its breakdown voltage, which makes it sensitive to single photons and causes it to operate in Geiger mode. When a photon is received at the photodiode (12), a readout transistor (18) senses the voltage drop across the photodiode (12) to detect the photon. Alternatively, when SNR is low, a low bias voltage is applied to the photodiode (12) to cause it to operate in linear mode.
(FR)On décrit un capteur (10, 38) utilisé lors de la détection de photons dans un détecteur pour tomodensitométrie (computed tomography, CT) et comprenant une photodiode capable de commuter entre des modes de fonctionnement linéaire et Geiger afin d'accroître la portée de détection. Lorsque le rapport signal-bruit (signal to noise ratio, SNR) est élevé, une importante tension de polarisation est appliquée à la photodiode (12) afin de la charger au-delà de sa tension disruptive, ce qui la rend sensible à des photons isolés et la fait fonctionner en mode Geiger. Lorsqu'un photon est reçu au niveau de la photodiode (12), un transistor (18) de lecture détecte la chute de tension aux bornes de la photodiode (12) de façon à détecter le photon. À l'inverse, lorsque le SNR est faible, une faible tension de polarisation est appliquée à la photodiode (12) afin de la faire fonctionner en mode linéaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)