WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010072956) STRUCTURE SEMICONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/072956    N° de la demande internationale :    PCT/FR2009/052620
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 18.12.2009
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : S'TILE [FR/FR]; 6, Rue Marcel Pagnol F-86180 Buxerolles (FR) (Tous Sauf US).
STRABONI, Alain [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : STRABONI, Alain; (FR)
Mandataire : CABINET BEAUMONT; 1, Rue Champollion F-38000 Grenoble (FR)
Données relatives à la priorité :
0858904 22.12.2008 FR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) STRUCTURE SEMICONDUCTRICE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a structure including a first layer made by sintering silicon powders and a second layer made of monocrystalline silicon, and which does or does not include a diffusion barrier layer or an insulation layer between the first and second layers. The invention can be used in the photovoltaic industry and in various fields, such as in the fields of electronics, microelectronics, optics and optoelectronics.
(FR)L'invention concerne une structure comprenant une première couche réalisée par frittage de poudres de silicium et une deuxième couche réalisée en silicium monocristallin, comprenant ou non une couche formant barrière de diffusion ou une couche isolante entre les première et deuxième couches. Application au domaine photovoltaïque et à divers domaines, comme en électronique, microélectronique, optique, opto-électronique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)