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1. (WO2010072278) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR D'IMAGE RÉTROÉCLAIRÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/072278    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/006845
Date de publication : 01.07.2010 Date de dépôt international : 22.09.2009
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38926 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
BOURDELLE, Konstantin [RU/FR]; (FR) (US Seulement).
MAZURE, Carlos [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : BOURDELLE, Konstantin; (FR).
MAZURE, Carlos; (FR)
Mandataire : BERTRAM, Rainer; Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Leopoldstraße 4 80802 München (DE)
Données relatives à la priorité :
08 291 227.0  22.12.2008 EP
Titre (EN) METHOD OF FABRICATING A BACK-ILLUMINATED IMAGE SENSOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CAPTEUR D'IMAGE RÉTROÉCLAIRÉE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method of fabricating a back-illuminated image sensor comprising the steps of providing a first substrate comprising a semiconductor layer, in particular a silicon layer, forming electronic device structures over the semiconductor layer and, only then, doping the semiconductor layer. By doing so, improved dopant profiles and electrical properties of photodiodes can be achieved such that the final product, namely an image sensor, has a better quality.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image rétroéclairée dont les étapes consistent à réaliser un premier substrat comprenant une couche semi-conductrice, en particulier une couche de silicium, à former des structures de dispositif électronique sur la couche semi-conductrice, et seulement alors, à doper la couche semi-conductrice. Ce faisant, des profils de dopant améliorés et les propriétés électriques de photodiodes peuvent être réalisés de telle sorte que le produit final, à savoir un capteur d'images, soit de meilleure qualité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)