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1. WO2010032820 - CAPTEUR MEMS

Numéro de publication WO/2010/032820
Date de publication 25.03.2010
N° de la demande internationale PCT/JP2009/066354
Date du dépôt international 18.09.2009
CIB
H01L 29/84 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
84commandés par la variation d'une force mécanique appliquée, p.ex. d'une pression
G01P 15/08 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
PMESURE DES VITESSES LINÉAIRES OU ANGULAIRES, DE L'ACCÉLÉRATION, DE LA DÉCÉLÉRATION OU DES CHOCS; INDICATION DE LA PRÉSENCE OU DE L'ABSENCE D'UN MOUVEMENT; INDICATION DE LA DIRECTION D'UN MOUVEMENT
15Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération
02en ayant recours aux forces d'inertie
08avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques
G01P 15/125 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
PMESURE DES VITESSES LINÉAIRES OU ANGULAIRES, DE L'ACCÉLÉRATION, DE LA DÉCÉLÉRATION OU DES CHOCS; INDICATION DE LA PRÉSENCE OU DE L'ABSENCE D'UN MOUVEMENT; INDICATION DE LA DIRECTION D'UN MOUVEMENT
15Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération
02en ayant recours aux forces d'inertie
08avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques
125au moyen de capteurs à capacité
CPC
B81B 2203/0307
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2203Basic microelectromechanical structures
03Static structures
0307Anchors
B81B 2207/07
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2207Microstructural systems or auxiliary parts thereof
07Interconnects
B81B 2207/097
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2207Microstructural systems or auxiliary parts thereof
09Packages
091Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
097Interconnects arranged on the substrate or the lid, and covered by the package seal
B81B 7/007
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
7Microstructural systems; ; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
0032Packages or encapsulation
007Interconnections between the MEMS and external electrical signals
B81C 2203/036
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2203Forming microstructural systems
03Bonding two components
033Thermal bonding
036Fusion bonding
G01P 1/023
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
1Details of instruments
02Housings
023for acceleration measuring devices
Déposants
  • アルプス電気株式会社 ALPS ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 高橋 亨 TAKAHASHI, Toru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 牛膓 英紀 GOCHO, Hideki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 小林 潔 KOBAYASHI, Kiyoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 高橋 亨 TAKAHASHI, Toru
  • 牛膓 英紀 GOCHO, Hideki
  • 小林 潔 KOBAYASHI, Kiyoshi
Mandataires
  • 野▲崎▼ 照夫 NOZAKI, Teruo
Données relatives à la priorité
2008-24236222.09.2008JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MEMS SENSOR
(FR) CAPTEUR MEMS
(JA) MEMSセンサ
Abrégé
(EN)
Provided is an MEMS sensor wherein especially a structure for bonding each supporting conductive section of a movable electrode section and a fixed electrode section, which are supported on a first substrate side, with a lead layer embedded in an insulating layer on the side of a second substrate which faces the first substrate with a space therebetween is improved. The MEMS sensor has a first substrate (1), a second substrate (2), and a functional layer, which is arranged between the substrates and has the movable electrode section, the fixed electrode section and the supporting conductive section.  On the surface of the second substrate (2), a second insulating layer (30), a lead layer (35) and a connecting electrode section (32) which is electrically connected to the lead layer and is individually connected to each supporting conductive section are arranged.  On the surface of the second insulating layer (30), a recessed section (37) which penetrates to reach even the surface of the lead layer is formed.  The connecting electrode section (32) has a recessed region (32a) conforming to the shape of the recessed section (37), and a connecting region (32b) which extends long on the surface of the second insulating layer (30) from one end section in the recessed region.  The supporting conductive section (17) and a connecting region (32b) of the connecting electrode section (32) are bonded to each other.
(FR)
La présente invention concerne un capteur MEMS dans lequel, en particulier, une structure adaptée pour lier chaque section de support conductrice d'une section d'électrode mobile et d'une section d'électrode fixe, qui sont supportées sur un premier côté de substrat, à une couche de plomb incorporée dans une couche isolante située sur le côté d'un second substrat qui fait face au premier substrat avec un espace intermédiaire entre eux, est améliorée. Le capteur MEMS possède un premier substrat (1), un second substrat (2), et une couche fonctionnelle qui est placée entre les substrats et qui comprend la section d'électrode mobile, la section d'électrode fixe et la section de support conductrice. Sont disposées sur la surface du second substrat (2) : une seconde couche isolante (30), une couche de plomb (35), et une section d'électrode de connexion (32) qui est connectée électriquement à la couche de plomb et qui est connectée individuellement à chaque section de support conductrice. Sur la surface de la seconde couche isolante (30), une section de renfoncement (37), qui pénètre jusqu'à atteindre même la surface de la couche de plomb, est formée. La section d'électrode de connexion (32) possède une zone de renfoncement (32a) qui épouse la forme de la section de renfoncement (37), et une zone de connexion (32b) qui se prolonge sur toute la surface de la seconde couche isolante (30) à partir d’une section d'extrémité de la zone de renfoncement. La section de support conductrice (17) et une zone de connexion (32b) de la section d'électrode de connexion (32) sont collées l'une à l'autre.
(JA)
【課題】 特に、第1の基板側に支持された可動電極部及び固定電極部の各支持導通部と、前記第1の基板と間隔を空けて対向する第2の基板側の絶縁層内に埋設されたリード層との接合構造を改良したMEMSセンサを提供する。 【解決手段】 第1の基板1と、第2の基板2と、その間に配置された可動電極部、固定電極部及び支持導通部を有する機能層と、を有する。第2の基板2の表面に、第2の絶縁層30とリード層35とリード層に導通して各支持導通部に個別に接続される接続電極部32が設けられる。第2の絶縁層30の表面にはリード層の表面にまで貫通する凹部37が形成されている。接続電極部32は、前記凹部37に倣う凹領域32aと、凹領域の一方の端部から第2の絶縁層30の表面に長く延ばされた接続領域32bとを有する。そして、支持導通部17と、接続電極部32の接続領域32bとが接合されている。
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