(EN) Provided is an MEMS sensor wherein especially a structure for bonding each supporting conductive section of a movable electrode section and a fixed electrode section, which are supported on a first substrate side, with a lead layer embedded in an insulating layer on the side of a second substrate which faces the first substrate with a space therebetween is improved. The MEMS sensor has a first substrate (1), a second substrate (2), and a functional layer, which is arranged between the substrates and has the movable electrode section, the fixed electrode section and the supporting conductive section. On the surface of the second substrate (2), a second insulating layer (30), a lead layer (35) and a connecting electrode section (32) which is electrically connected to the lead layer and is individually connected to each supporting conductive section are arranged. On the surface of the second insulating layer (30), a recessed section (37) which penetrates to reach even the surface of the lead layer is formed. The connecting electrode section (32) has a recessed region (32a) conforming to the shape of the recessed section (37), and a connecting region (32b) which extends long on the surface of the second insulating layer (30) from one end section in the recessed region. The supporting conductive section (17) and a connecting region (32b) of the connecting electrode section (32) are bonded to each other.
(FR) La présente invention concerne un capteur MEMS dans lequel, en particulier, une structure adaptée pour lier chaque section de support conductrice d'une section d'électrode mobile et d'une section d'électrode fixe, qui sont supportées sur un premier côté de substrat, à une couche de plomb incorporée dans une couche isolante située sur le côté d'un second substrat qui fait face au premier substrat avec un espace intermédiaire entre eux, est améliorée. Le capteur MEMS possède un premier substrat (1), un second substrat (2), et une couche fonctionnelle qui est placée entre les substrats et qui comprend la section d'électrode mobile, la section d'électrode fixe et la section de support conductrice. Sont disposées sur la surface du second substrat (2) : une seconde couche isolante (30), une couche de plomb (35), et une section d'électrode de connexion (32) qui est connectée électriquement à la couche de plomb et qui est connectée individuellement à chaque section de support conductrice. Sur la surface de la seconde couche isolante (30), une section de renfoncement (37), qui pénètre jusqu'à atteindre même la surface de la couche de plomb, est formée. La section d'électrode de connexion (32) possède une zone de renfoncement (32a) qui épouse la forme de la section de renfoncement (37), et une zone de connexion (32b) qui se prolonge sur toute la surface de la seconde couche isolante (30) à partir d’une section d'extrémité de la zone de renfoncement. La section de support conductrice (17) et une zone de connexion (32b) de la section d'électrode de connexion (32) sont collées l'une à l'autre.
(JA) 【課題】 特に、第１の基板側に支持された可動電極部及び固定電極部の各支持導通部と、前記第１の基板と間隔を空けて対向する第２の基板側の絶縁層内に埋設されたリード層との接合構造を改良したＭＥＭＳセンサを提供する。 【解決手段】 第１の基板１と、第２の基板２と、その間に配置された可動電極部、固定電極部及び支持導通部を有する機能層と、を有する。第２の基板２の表面に、第２の絶縁層３０とリード層３５とリード層に導通して各支持導通部に個別に接続される接続電極部３２が設けられる。第２の絶縁層３０の表面にはリード層の表面にまで貫通する凹部３７が形成されている。接続電極部３２は、前記凹部３７に倣う凹領域３２ａと、凹領域の一方の端部から第２の絶縁層３０の表面に長く延ばされた接続領域３２ｂとを有する。そして、支持導通部１７と、接続電極部３２の接続領域３２ｂとが接合されている。