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1. WO2010029872 - UNITÉ ÉLECTROLUMINESCENTE, MODULE ÉLECTROLUMINESCENT, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE

Numéro de publication WO/2010/029872
Date de publication 18.03.2010
N° de la demande internationale PCT/JP2009/065247
Date du dépôt international 01.09.2009
CIB
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
CPC
G02F 1/133603
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
1333Constructional arrangements; ; Manufacturing methods
1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
1336Illuminating devices
133602Direct backlight
133603with LEDs
H01L 2224/45144
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
45of an individual wire connector
45001Core members of the connector
45099Material
451with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
45138the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
45144Gold (Au) as principal constituent
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 33/44
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
H01L 33/46
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
H01L 33/50
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
50Wavelength conversion elements
Déposants
  • 昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 塙 健三 HANAWA, Kenzo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 保科 孝治 HOSHINA, Takaharu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 武居 共之 TAKEI, Tomoyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 塙 健三 HANAWA, Kenzo
  • 保科 孝治 HOSHINA, Takaharu
  • 武居 共之 TAKEI, Tomoyuki
Mandataires
  • 古部 次郎 FURUBE, Jiro
Données relatives à la priorité
2008-23135309.09.2008JP
2008-23398411.09.2008JP
2008-23398611.09.2008JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT EMITTING UNIT, LIGHT EMITTING MODULE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) UNITÉ ÉLECTROLUMINESCENTE, MODULE ÉLECTROLUMINESCENT, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 発光装置、発光モジュール、表示装置
Abrégé
(EN)
A light emitting unit (60) is provided with a resin container (61) in which a recessed portion (61a) is formed, an anode lead portion (62) and a cathode lead portion (63) which are provided so as to be exposed on the bottom surface (70) of the recessed portion (61a), a semiconductor light emitting element (64) attached to the cathode lead portion (63) on the bottom surface (70) of the recessed portion (61a), and a sealing resin (65) provided so as to cover the recessed portion (61a).  The resin container (61) is produced from a white resin containing titania as a coloring agent.  The anode lead portion (62) and the cathode lead portion (63) are each configured by forming a silver-plated layer with the gloss level set in the range of 0.3-1.0 inclusive on a metal plate based on a copper alloy or the like.  Thus, the efficiency of extraction of light outputted from the light emitting unit is improved.
(FR)
L'invention concerne une unité électroluminescente (60) comprenant un contenant en résine (61) doté d'une partie creuse (61a), une partie sortie d'anode (62) et une partie sortie de cathode (63) étant fournies de façon à être exposées sur la surface inférieure (70) de la partie creuse (61a), un élément semi-conducteur électroluminescent (64) fixé à la partie sortie de cathode (63) sur la surface inférieure (70) de la partie creuse (61a), et une résine d'étanchéité(65) prévue pour couvrir la partie creuse (61a). Le contenant en résine (61) est produit à partir d'une résine blanche contenant du titane en tant qu'agent colorant. La partie sortie d'anode (62) et la partie sortie de cathode (63) sont configurées en formant une couche plaquée d’argent avec un niveau de brillance défini dans la plage de 0,3 à 1,0 inclus sur une plaque métallique à base d'alliage de cuivre ou matériau analogue. Ainsi, l'efficacité d'extraction de la lumière produite à partir de l'unité électroluminescente est améliorée.
(JA)
 発光装置60は、凹部61aが形成された樹脂容器61と、凹部61aの底面70に露出するように設けられたアノード用リード部62およびカソード用リード部63と、凹部61aの底面70においてカソード用リード部63に取り付けられた半導体発光素子64と、凹部61aを覆うように設けられた封止樹脂65とを備えている。ここで、樹脂容器61は、チタニアを着色剤として含む白色の樹脂に構成され、アノード用リード部62およびカソード用リード部63は、銅合金等をベースとする金属板に、光沢度が0.3以上1.0以下の範囲に設定された銀メッキ層を形成したもので構成される。それにより、発光装置から出力される光の取り出し効率を向上させる。
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