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1. (WO2010022373) ENCAPSULATION DE DISPOSITIF CAPTEUR ET PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/022373    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/054692
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 21.08.2009
CIB :
G01L 9/06 (2006.01)
Déposants : S3C, INC. [US/US]; 1130 Mountain View Alviso Road Sunnyvale, CA 94089 (US) (Tous Sauf US).
DANGTRAN, John [US/US]; (US) (US Seulement).
HORTON, Roger [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DANGTRAN, John; (US).
HORTON, Roger; (US)
Mandataire : CANNING, Anthony, J.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/196,196 21.08.2008 US
Titre (EN) SENSOR DEVICE PACKAGING AND METHOD
(FR) ENCAPSULATION DE DISPOSITIF CAPTEUR ET PROCÉDÉ
Abrégé : front page image
(EN)A sensor device and a method of forming comprises a die pad receives a sensor device, such as a MEMS device. The MEMS device has a first coefficient of thermal expansion (CTE). The die pad is made of a material having a second CTE compliant with the first CTE. The die pad includes a base and a support structure with a CTE compliant with the first and second CTE. The die pad has a support structure that protrudes from a base. The support structure has a height and wall thickness which minimize forces felt by the die pad and MEMS device when the base undergoes thermal expansion or contraction forces from a header.
(FR)La présente invention concerne un dispositif capteur et un procédé de formation comprenant la réception par une pastille de puce d’un dispositif capteur, tel qu’un dispositif de système microélectromécanique (MEMS). Le dispositif MEMS présente un premier coefficient de dilatation thermique. La pastille de puce est réalisée en un matériau ayant un second coefficient de dilatation thermique conforme au premier coefficient de dilatation thermique. La pastille de puces présente une structure avec un coefficient de dilatation thermique conforme au premier et au second coefficients de dilatation thermique. La pastille de puce comporte une structure de support qui fait saillie depuis une base. La structure de support présente une hauteur et une épaisseur de paroi qui minimisent les forces subies par la pastille  de puce et le dispositif MEMS lorsque la base est soumise à des forces de dilatation ou une contraction thermique provenant d’une embase.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)