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1. (WO2010022215) DISTRIBUTION DE GAZ DE TRANSFORMATION POUR CHAMBRE DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/022215    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/054423
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 20.08.2009
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
SANGAM, Kedarnath [US/US]; (US) (US Seulement).
NGUYEN, Anh, N. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SANGAM, Kedarnath; (US).
NGUYEN, Anh, N.; (US)
Mandataire : TABOADA, Alan; Moser IP Law Group 1030 Broad Street Suite 203 Shrewsbury, NJ 07702 (US)
Données relatives à la priorité :
12/197,029 22.08.2008 US
Titre (EN) PROCESS GAS DELIVERY FOR SEMICONDUCTOR PROCESS CHAMBER
(FR) DISTRIBUTION DE GAZ DE TRANSFORMATION POUR CHAMBRE DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Methods and apparatus for a gas delivery assembly are provided herein. In some embodiments, the gas delivery assembly includes a gas inlet funnel having a first volume; and a gas conduit having an inlet to receive a gas and an outlet to facilitate the flow of the gas out of the gas conduit and into the first volume, wherein the gas conduit has a second volume less than the first volume, and an increasing cross-section from a first cross-section proximate the inlet to a second cross-section proximate the outlet, wherein the second cross-section is non-circular. In some embodiments, each conduit has a longitudinal axis that intersects a central axis of the gas inlet funnel.
(FR)L'invention concerne des procédés et appareils pour un ensemble de distribution de gaz. Dans certains modes de réalisation, l'ensemble de distribution de gaz comprend un entonnoir d'entrée de gaz ayant un premier volume; et une conduite de gaz ayant une entrée destinée à recevoir un gaz et une sortie destinée à faciliter l'écoulement du gaz hors de la conduite de gaz et dans le premier volume, la conduite de gaz ayant un second volume inférieur au premier volume et une section transversale croissante à partir d'une première section transversale proche de l'entrée vers une seconde section transversale proche de la sortie, la seconde section transversale étant non circulaire. Dans certains modes de réalisation, chaque conduite a un axe longitudinal qui croise un axe central de l'entonnoir d'entrée de gaz.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)