WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010022097) PROCÉDÉS POUR AUGMENTER LE RENDEMENT DE NANOTUBES DE CARBONE (CNT) DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/022097    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/054219
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 18.08.2009
CIB :
H01L 45/00 (2006.01), C01B 31/02 (2006.01), D01F 11/12 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D, LLC [US/US]; 601 McCarthy Blvd. CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
SCHRICKER, April, D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SCHRICKER, April, D.; (US)
Mandataire : DUGAN, Brian, M.; Dugan & Dugan, PC 245 Saw Mill River Road Suite 309 Hawthorne, NY 10532 (US)
Données relatives à la priorité :
61/090,222 19.08.2008 US
Titre (EN) METHODS FOR INCREASING CARBON NANO-TUBE (CNT) YIELD IN MEMORY DEVICES
(FR) PROCÉDÉS POUR AUGMENTER LE RENDEMENT DE NANOTUBES DE CARBONE (CNT) DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)In some aspects, a method of forming a carbon nano-tube (CNT) memory cell is provided that includes (1) forming a first conductor; (2) forming a steering element above the first conductor; (3) forming a first conducting layer above the first conductor; (4) forming a CNT material above the first conducting layer; (5) implanting a selected implant species into the CNT material; (6) forming a second conducting layer above the CNT material; (7) etching the first conducting layer, CNT material and second conducting layer to form a metal-insulator-metal (MIM) stack; and (8) forming a second conductor above the CNT material and the steering element. Numerous other aspects are provided.
(FR)L'invention concerne, sous certains aspects, un procédé de formation d'une cellule de mémoire de nanotube de carbone (CNT) qui comprend (1) la formation d'un premier conducteur; (2) d'un élément d'orientation au-dessus du premier conducteur; (3) d'une première couche conductrice au-dessus du premier conducteur, (4) d'un matériau de CNT au-dessus de la première couche conductrice; (5) l'implantation d'espèces d'implant sélectionnées dans le matériau de CNT; (6) la formation d'une seconde couche conductrice au-dessus du matériau de CNT; (7) la gravure de la première couche conductrice, du matériau de CNT et de la seconde couche conductrice pour former une pile métal-isolant-métal (MIM), et (8) la formation d'un second conducteur au-dessus du matériau de CNT et de l'élément d'orientation. De nombreux autres aspects sont décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)