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1. (WO2010022009) PROCÉDÉ DE REMPLISSAGE DE TROUS D’INTERCONNEXION FORMÉS DANS DU SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/022009    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/054094
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 17.08.2009
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01)
Déposants : NOVELLUS SYSTEMS, INC. [US/US]; 3970 North First Street San Jose, CA 95134 (US) (Tous Sauf US).
REID, Jonathan, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Katie, Qun [US/US]; (US) (US Seulement).
WILLEY, Mark, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : REID, Jonathan, D.; (US).
WANG, Katie, Qun; (US).
WILLEY, Mark, J.; (US)
Mandataire : GUSEV, Vladimir, Y.; Weaver Austin Villeneuve And Sampson LLP P. O. Box 70250 Oakland, CA 94250-0250 (US)
Données relatives à la priorité :
12/193,644 18.08.2008 US
Titre (EN) PROCESS FOR THROUGH SILICON VIA FILLING
(FR) PROCÉDÉ DE REMPLISSAGE DE TROUS D’INTERCONNEXION FORMÉS DANS DU SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor electroplating process deposits copper into the through silicon via hole to completely fill the through silicon via in a substantially void free is disclosed. The through silicon via may be more than about 3 micrometers in diameter and more that about 20 micrometers deep. Low copper concentration and high acidity electroplating solution is used for deposition copper into the through silicon vias.
(FR)L’invention concerne un procédé de dépôt électrolytique de semi-conducteurs consistant à déposer du cuivre dans un trou d’interconnexion formé dans du silicium pour le remplir complètement sans laisser de vide. Le diamètre du trou d’interconnexion peut être supérieur à environ 3 micromètres et sa profondeur peut être supérieure à environ 20 micromètres. Une solution électrolytique à faible concentration en cuivre et très acide est utilisée pour le dépôt du cuivre dans les trous d’interconnexion.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)