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1. (WO2010021361) ÉLÉMENT DE RÉSISTANCE NÉGATIVE UTILISANT L’EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/021361    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/064579
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 20.08.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.05.2010    
CIB :
H01L 43/08 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01)
Déposants : CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1 Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (Tous Sauf US).
MAEHARA Hiroki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGAMINE Yoshinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUBOTA Hitoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUSHIMA Akio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YUASA Shinji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI Yoshishige [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MAEHARA Hiroki; (JP).
NAGAMINE Yoshinori; (JP).
KUBOTA Hitoshi; (JP).
FUKUSHIMA Akio; (JP).
YUASA Shinji; (JP).
SUZUKI Yoshishige; (JP)
Mandataire : OKABE Masao; No. 602, Fuji Bldg. , 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-213709 22.08.2008 JP
Titre (EN) NEGATIVE RESISTANCE ELEMENT USING MAGNETORESISTIVE EFFECT
(FR) ÉLÉMENT DE RÉSISTANCE NÉGATIVE UTILISANT L’EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
(JA) 磁気抵抗効果を用いた負性抵抗素子
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a two-terminal negative resistance element with good linearity, which is based on a principle different from the tunnel effect. The negative resistance element is equipped with a magnetoresistive element having a magnetization free layer (33), a magnetization fixed layer (31) having a larger magnetic moment than the magnetic moment of the magnetization free layer, and an intermediate layer (32) provided between the magnetization free layer and the magnetization fixed layer. The negative resistance element is characterized in that negative resistance is exhibited due to a change in the magnetization direction of the magnetization free layer being caused continuously as the current applied to the magnetoresistive element increases so that electrons flow in from the magnetization fixed layer.
(FR)La présente invention concerne un élément de résistance négative à deux bornes avec une bonne linéarité, qui est basé sur un principe différent de l’effet tunnel. L’élément de résistance négative est équipé d’un élément magnétorésistif comprenant une couche de magnétisation libre (33), une couche de magnétisation fixe (31) ayant un moment magnétique supérieur au moment magnétique de la couche de magnétisation libre, et une couche intermédiaire (32) disposée entre la couche de magnétisation libre et la couche de magnétisation fixe. L’élément de résistance négative est caractérisé en ce que la résistance négative se manifeste grâce à un changement de la direction de magnétisation de la couche de magnétisation libre provoqué en continu par l’accroissement du courant appliqué à l’élément magnétorésistif de sorte que des électrons y pénètrent depuis la couche de magnétisation fixe.
(JA)トンネル効果とは異なる原理による、直線性の良い負性抵抗2端子素子を提供する。磁化自由層(33)と、磁化自由層がもつ磁気モーメントよりも大きな磁気モーメントを有する磁化固定層(31)と、磁化自由層と磁化固定層との間に設けられた中間層(32)とを有する磁気抵抗素子を具備する負性抵抗素子である。磁化固定層側から電子が流れ込むように磁気抵抗素子に印加される電流の上昇につれて磁化自由層の磁化方向の変化が連続的に引き起こされることにより負性抵抗を示すことを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)