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1. (WO2010021359) PROCÉDÉ POUR AMÉLIORER LA SENSIBILITÉ D'UNE RÉSERVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/021359    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/064574
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 20.08.2009
CIB :
G03F 7/38 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/075 (2006.01), G03F 7/11 (2006.01)
Déposants : JEOL LTD. [JP/JP]; 1-2, Musashino 3-chome, Akishima-shi, Tokyo 1968558 (JP) (Tous Sauf US).
SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (Tous Sauf US).
OHKI, Hirofumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIOKA, Ayako [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHKUBO, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHKI, Hirofumi; (JP).
NISHIOKA, Ayako; (JP).
OHKUBO, Takashi; (JP)
Mandataire : SSINPAT PATENT FIRM; Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-211707 20.08.2008 JP
Titre (EN) METHOD FOR IMPROVING RESIST SENSITIVITY
(FR) PROCÉDÉ POUR AMÉLIORER LA SENSIBILITÉ D'UNE RÉSERVE
(JA) レジスト感度向上方法
Abrégé : front page image
(EN)The sensitivity of a resist formed from hydrosilsesquioxane when a pattern is formed in the resist by irradiation with a charged particle beam is improved. A method for improving the sensitivity of a resist formed from hydrosilsesquioxane to a charged particle beam when a pattern is formed in the resist by irradiation with the charged particle beam is characterized in that the resist which is formed from hydrosilsesquioxane and applied onto a substrate is prebaked at t°C (where 20≤t≤300), a composition containing a water-soluble conductive polymer compound is applied onto the surface to be irradiated with the charged particle beam of the prebaked resist, the applied composition is baked at T°C (where 0≤T
(FR)L'invention vise à améliorer la sensibilité d'une réserve formée à partir d'hydrosilsesquioxane lorsqu'un motif est formé dans la réserve par irradiation par un faisceau de particules chargées. Selon l’invention, un procédé pour améliorer la sensibilité d'une réserve, formée à partir d'hydrosilsesquioxane à un faisceau de particules chargées lorsqu'un motif est formé dans la réserve par irradiation par un faisceau de particules chargées, est caractérisé en ce que la réserve qui est formée à partir d'hydrosilsesquioxane et appliquée sur un substrat est précuite à t°C (où 20 < t < 300), qu'une composition contenant un composé polymère conducteur soluble dans l'eau est appliquée sur la surface devant être irradiée par le faisceau de particules chargées de la réserve précuite, que la composition appliquée est cuite à T°C (où 0 < T < t + 40), et que la réserve est irradiée par le faisceau de particules chargées.
(JA) [課題]荷電粒子線の照射によるハイドロシルセスキオキサンからなるレジストにパターンを形成する際の、レジスト感度を向上させることを目的とする。  [解決手段]本発明のレジスト感度向上方法は、荷電粒子線の照射によってハイドロシルセスキオキサンから形成されるレジストにパターンを形成する際の、荷電粒子線に対するレジストの感度を向上させるためのレジスト感度向上方法であって、基板上に塗布されたハイドロシルセスキオキサンから形成されるレジストをt℃(ただし、20≦t≦300である。)でプリベークし、水溶性導電性高分子化合物を含む組成物を、プリベークされたレジストの荷電粒子線照射面に塗布し、塗布された前記組成物を、T℃(ただし、0≦T<t+40である。)でベークし、次いで、レジストに荷電粒子線を照射することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)