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1. (WO2010021347) MATÉRIAU DE FORMATION D'UN FILM SENSIBLE À LA RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/021347    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/064532
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 19.08.2009
CIB :
G03F 7/11 (2006.01), G03F 7/38 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
KON, Junichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KON, Junichi; (JP)
Mandataire : HIROTA, Koichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
PCT/JP2008/064811 20.08.2008 JP
Titre (EN) MATERIAL FOR FORMING RESIST-SENSITIZING FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) MATÉRIAU DE FORMATION D'UN FILM SENSIBLE À LA RÉSERVE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) レジスト増感膜形成用材料、並びに半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a material for forming a resist-sensitizing film, which is capable of forming a resist-sensitizing film that can improve the sensitivity of an electron beam resist without deteriorating the resolution of the electron beam resist.  Also disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device using the material for forming a resist-sensitizing film. The material for forming a resist-sensitizing film contains a metal salt, a resin and a solvent.
(FR)L'invention porte sur un matériau, pour former un film sensible à la réserve, qui est capable de former un film sensible à la réserve qui peut améliorer la sensibilité d'une réserve de faisceau d'électrons sans détériorer la résolution de la réserve de faisceau d'électrons. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur qui utilise le matériau pour former un film sensible à la réserve. Le matériau pour former un film sensible à la réserve contient un sel de métal, une résine et un solvant.
(JA) 電子線レジストの解像度を損うことなく、電子線レジストの感度を向上させるレジスト増感膜を形成可能なレジスト増感膜形成用材料、該レジスト増感膜形成用材料を用いた半導体装置の製造方法が提供される。  レジスト増感膜形成用材料は、金属塩、樹脂、及び溶剤を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)