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1. (WO2010021290) COMPOSITION DE FORMATION D'UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT DU SILICIUM AVEC UN GROUPE ONIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/021290    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/064301
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 13.08.2009
CIB :
C09D 183/08 (2006.01), C09D 201/00 (2006.01), G03F 7/11 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1010054 (JP) (Tous Sauf US).
SHIBAYAMA, Wataru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAJIMA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANNO, Yuta [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHIBAYAMA, Wataru; (JP).
NAKAJIMA, Makoto; (JP).
KANNO, Yuta; (JP)
Mandataire : HANABUSA, Tsuneo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-209685 18.08.2008 JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING RESIST UNDERLAYER FILM WITH ONIUM GROUP
(FR) COMPOSITION DE FORMATION D'UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT DU SILICIUM AVEC UN GROUPE ONIUM
(JA) オニウム基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a composition for forming a resist underlayer film for lithography to form a resist underlayer film that can be used as a hard mask, can be used as an anti-reflective film, and has a higher dry-etching rate than a resist without intermixing with the resist. Specifically provided is a film-forming composition that comprises a silane compound with an onium group. The silane compound with an onium group is a film-forming composition that is a hydrolysable organosilane having an onium group in the molecule, hydrolysate thereof, or hydrolytic condensate thereof. The film-forming composition is a composition for forming a resist underlayer film for lithography and is a composition comprising a silane compound with an onium group and a silane compound without an onium group. The silane compound with an onium group is present in proportions of less than 1 mole%, for example, 0.01 to 0.95 mole% in the total silane compounds. The hydrolysable organosilane is represented by formula (1): R1aR2bSi(R3)4-(a+b) Resist underlayer films obtained by coating and baking the composition for forming resist underlayer film on a semiconductor substrate.
(FR)L'invention porte sur une composition pour former un film de sous-couche de réserve pour lithographie afin de former un film de sous-couche de réserve qui peut être utilisé comme masque dur, peut être utilisé comme film anti-réfléchissant et a un taux de gravure à sec supérieur à une réserve sans inter-mélange avec la réserve. De façon spécifique, l'invention porte sur une composition filmogène qui comprend un composé de type silane avec un composé onium. Le composé silane avec un groupe onium est une composition filmogène qui est un organosilane hydrolysable ayant un groupe onium dans la molécule, un hydrolysat de celui-ci ou un condensé hydrolytique de celui-ci. La composition filmogène est une composition pour former un film de sous-couche de réserve pour lithographie et est une composition comprenant un composé de type silane avec un groupe onium et un composé de type silane sans un groupe onium. Le composé silane avec un groupe onium est présent dans des proportions de moins de 1 % en mole, par exemple 0,01 à 0,95 % en mole dans la totalité des composés de silane. L'organosilane hydrolysable est représenté par la formule (1) : R1aR2bSi(R3)4-(a+b) Les films de sous-couche de réserve obtenus par revêtement et cuisson de la composition pour former un film de sous-couche de réserve sur un substrat semi-conducteur.
(JA)【課題】 ハードマスクとして使用でき、反射防止膜として使用でき、また、レジストとのインターミキシングを起こさず、レジストに比較して大きなドライエッチング速度を有するレジスト下層膜を形成するためのリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 オニウム基を有するシラン化合物を含む膜形成組成物であって、該オニウム基を有するシラン化合物は、オニウム基を分子内に有する加水分解性オルガノシラン、その加水分解物、又はその加水分解縮合物である膜形成組成物。膜形成組成物がリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。オニウム基を有するシラン化合物とオニウム基を有しないシラン化合物とを含む組成物であって、該シラン化合物全体中オニウム基を有するシラン化合物が1モル%未満、例えば0.01乃至0.95モル%の割合で存在するものである。加水分解性オルガノシランが式(1): 【化1】RSi(R4-(a+b)で表される。レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)