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1. (WO2010021267) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/021267    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/064155
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 11.08.2009
CIB :
H01L 23/02 (2006.01), H01L 23/10 (2006.01), H03H 9/17 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
HORIGUCHI, Hiroki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIMURA, Yuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HORIGUCHI, Hiroki; (JP).
KIMURA, Yuji; (JP)
Mandataire : KOSHIBA, Masaaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-212470 21.08.2008 JP
2009-027108 09.02.2009 JP
Titre (EN) ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電子部品装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an electronic component wherein a highly reliable airtight sealing structure can be obtained in a short time. A first sealing frame (16) formed on a main substrate (12) and a second sealing frame (19) formed on a cover substrate (13) are both composed of an Ni film.  For instance, a Bi layer (26) is formed on the first sealing frame (16), and an Au layer (27) is formed on the second sealing frame (19), and a bonding section (24) which bonds the first sealing frame (16) and the second sealing frame (19) to each other is formed by heating the first sealing frame (16) and the second sealing frame (19) at a temperature of, for instance, 300°C for 10 seconds, while pressurizing the frames in a direction wherein the frames are brought close to each other.  The bonding section (24) is composed of a mixed layer (28) which contains an alloy wherein an Ni-Bi-Au ternary alloy and Au2Bi are mixed as a main component.
(FR)L'invention porte sur un composant électronique dans lequel une structure d'étanchéité de type étanche à l'air hautement fiable peut être obtenue dans un temps court. Un premier cadre d'étanchéité (16) formé sur un substrat principal (12) et un second cadre d'étanchéité (19) formé sur un substrat de recouvrement (13) sont tous deux composés d'un film de Ni. Par exemple, une couche de Bi (26) est formée sur le premier cadre d'étanchéité (16), et une couche d'Au (27) est formée sur le second cadre d'étanchéité (19), et une section de liaison (24) qui lie le premier cadre d'étanchéité (16) et le second cadre d'étanchéité (19) l'un à l'autre est formée par chauffage du premier cadre d'étanchéité (16) et du second cadre d'étanchéité (19) à une température, par exemple, de 300°C pendant 10 secondes, tout en pressurisant les cadres dans une direction dans laquelle les cadres sont rapprochés l'un de l'autre. La section de liaison (24) est composée d'une couche mixte (28) qui contient un alliage, dans lequel un alliage ternaire Ni-Bi-Au et Au2Bi sont mélangés, en tant que composant principal.
(JA) 電子部品装置において、短時間で信頼性の高い気密封止構造が得られるようにする。  主基板(12)に形成される第1の封止枠(16)および蓋基板(13)に形成される第2の封止枠(19)を、ともにNi膜から構成する。たとえば、第1の封止枠(16)上にBi層(26)を形成し、第2の封止枠(19)上にAu層(27)を形成しておき、第1の封止枠(16)と第2の封止枠(19)とを互いに近接させる方向に加圧しながら、たとえば300℃の温度で10秒間加熱することによって、第1の封止枠(16)と第2の封止枠(19)とを互いに接合する接合部(24)を形成する。接合部(24)は、Ni‐Bi‐Au3元系合金とAuBiとが混在した合金を主成分とする混在層(28)とをもって構成される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)