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1. (WO2010021265) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR JET D'AMAS, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT MICROÉLECTROMÉCANIQUE ET COMPOSANT OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/021265    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/064131
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 10.08.2009
CIB :
H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : Iwatani Corporation [JP/JP]; 6-4, Hommachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP) (Tous Sauf US).
Kyoto University [JP/JP]; Yoshida-honmachi, Sakyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6068501 (JP) (Tous Sauf US).
KOIKE Kunihiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SENOO Takehiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHINO Yu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AZUMA Shuhei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUO Jiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SEKI Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NINOMIYA Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOIKE Kunihiko; (JP).
SENOO Takehiko; (JP).
YOSHINO Yu; (JP).
AZUMA Shuhei; (JP).
MATSUO Jiro; (JP).
SEKI Toshio; (JP).
NINOMIYA Satoshi; (JP)
Mandataire : Shin-yu International Patent Firm; Sasazuka South Bldg., 1-64-8, Sasazuka, Shibuya-ku, Tokyo 1510073 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-210140 18.08.2008 JP
Titre (EN) CLUSTER JET PROCESSING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT, MICROELECTROMECHANICAL ELEMENT, AND OPTICAL COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PAR JET D'AMAS, ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT MICROÉLECTROMÉCANIQUE ET COMPOSANT OPTIQUE
(JA) クラスタ噴射式加工方法、半導体素子、微小電気機械素子、及び、光学部品
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for processing a sample with an electrically neutral reactive cluster.  In this method, a mixed gas composed of a reactive gas and a gas having a boiling point lower than the reactive gas is jetted in such a pressure range that does not cause liquefaction of the gas with adiabatical expansion in a predetermined direction to produce a reactive cluster which is jetted against a sample within a vacuum treatment chamber to process the surface of the sample.
(FR)L'invention porte sur un procédé de traitement d'un échantillon par un amas réactif électriquement neutre. Dans ce procédé, un gaz mélangé composé d'un gaz réactif et d'un gaz ayant un point d'ébullition inférieur à celui du gaz réactif est projeté dans une plage de pression telle qu'elle ne provoque pas de liquéfaction du gaz avec une expansion adiabatique dans une direction prédéterminée pour produire un amas réactif qui est projeté contre un échantillon à l'intérieur d'une chambre de traitement sous vide pour traiter la surface de l'échantillon.
(JA)【課題】電気的に中性な反応性クラスタを用いた試料の加工方法を提供する。 【解決手段】反応性ガスと、反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガスを、液化しない範囲の圧力で、所定の方向に断熱膨張させながら噴出させ、反応性クラスタを生成し、前記反応性クラスタを真空処理室内の試料に噴射して試料表面を加工する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)