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1. (WO2010021136) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/021136    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/003973
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 20.08.2009
CIB :
H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUSE, Akihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YANO, Kotaro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUSE, Akihiro; (JP).
YANO, Kotaro; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-212915 21.08.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device provided with an ohmic contact layer having excellent surface planarity, composition uniformity on an interface between a semiconductor base body and the layer and sufficiently high adhesiveness to a Schottky contact layer.  The semiconductor device is provided with: an n-type SiC semiconductor base body (1); a cathode electrode (5) brought into an ohmic contact with one main surface (1b) of the SiC semiconductor base body (1); a first semiconductor region (6a), which is formed on the other main surface (1a) of the SiC semiconductor base body (1) and is composed of p-type SiC; a second semiconductor region (6b), which is formed on the main surface (1a) and is composed of n-type SiC; an ohmic contact layer (7) brought into an ohmic contact with the first semiconductor region (6a); and a Schottky contact layer (8) brought into a Schottky contact with the second semiconductor region (6b).  The root-mean-square roughness of a surface of the ohmic contact layer (7) is 20 nm or less.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui est pourvu d’une couche de contact ohmique qui présente d’excellentes caractéristiques en termes de surface plane, d’uniformité de composition sur une interface entre un corps de base de semi-conducteur et la couche, et d’adhérence suffisamment élevée sur une couche de contact de Schottky. Le dispositif à semi-conducteurs est muni : d’un corps de base de semi-conducteur SiC de type n (1) ; d’une électrode de cathode (5) amenée en contact ohmique avec une surface principale (1b) du corps de base de semi-conducteur SiC (1) ; d’une première région semi-conductrice (6a) qui est formée sur l'autre surface principale (1a) du corps de base de semi-conducteur SiC (1) et qui est composée de SiC de type p ; d’une seconde région semi-conductrice (6b) qui est formée sur la surface principale (1a) et qui est composée d'un SiC de type n ; d’une couche de contact ohmique (7) amenée en contact ohmique avec la première région semi-conductrice (6a), et d’une couche de contact de Schottky (8) amenée en contact de Schottky avec la seconde région semi-conductrice (6b). La valeur quadratique moyenne de rugosité d'une surface de la couche de contact ohmique (7) est d’au plus 20 nm.
(JA)表面平坦性に優れ、半導体基体との界面における組成の均一性に優れ、ショットキー接合層との十分に高い密着性が得られるオーミック接合層を備える半導体装置が提供される。そのような半導体装置は、n型のSiC半導体基体(1)と、SiC半導体基体(1)の一方の主表面(1b)とオーミック接触するカソード電極(5)と、SiC半導体基体(1)の他方の主表面(1a)に形成されたp型SiCからなる第一半導体領域(6a)と、他方の主表面(1a)に形成されたn型SiCからなる第二半導体領域(6b)と、第一半導体領域(1a)にオーミック接触するオーミック接合層(7)と、第二半導体領域(6b)にショットキー接触するショットキー接合層(8)とを備え、オーミック接合層(7)の表面の二乗平均粗さが、20nm以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)