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1. (WO2010020790) DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES ORGANIQUES ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION UTILISANT DES TECHNIQUES DE TRAITEMENT DE SOLUTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/020790    N° de la demande internationale :    PCT/GB2009/002044
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 21.08.2009
CIB :
H01L 51/00 (2006.01)
Déposants : CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED [GB/GB]; Building 2020 Cambourne Business Park Cambridgeshire B23 6DW (GB) (Tous Sauf US).
McCONNELL, Angela [US/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : McCONNELL, Angela; (GB)
Mandataire : KAY, Christopher; IP Department Cambridge Display Technology Ltd Building 2020 Cambourne Business Park Cambridgeshire CB23 6DW (GB)
Données relatives à la priorité :
0815287.8 21.08.2008 GB
Titre (EN) ORGANIC ELECTRONIC DEVICES AND METHODS OF MAKING THE SAME USING SOLUTION PROCESSING TECHNIQUES
(FR) DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES ORGANIQUES ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION UTILISANT DES TECHNIQUES DE TRAITEMENT DE SOLUTION
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing an organic electronic device, the method comprising: providing a substrate; forming a well-defining structure over the substrate; and depositing a solution of organic semiconductive material and/or organic conductive material in wells defined by the well- defining structure, wherein the well-defining structure is formed by depositing a solution comprising a mixture of a first insulating material and a second insulating material, the second insulating material having a lower wettability than the first insulating material, and allowing the first and second insulating materials to at least partially phase separate wherein the second insulating material phase separates in a direction away from the substrate.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif électronique organique, le procédé comprenant : la préparation d'un substrat ; la formation d'une structure définissant des puits sur le substrat et le dépôt d'une solution de matériau semi-conducteur organique et/ou de matériau conducteur organique dans des puits définis par la structure définissant des puits, la structure définissant des puits étant formée par dépôt d'une solution comprenant un mélange d'un premier matériau isolant et d'un second matériau isolant, le second matériau isolant ayant une plus faible mouillabilité que le premier matériau isolant, et permettant aux premier et second matériaux isolants de subir une séparation de phase partielle, le second matériau isolant se séparant en phase dans un sens d'éloignement du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)