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1. (WO2010020072) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS À COUCHE PROTECTRICE EN SILICONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/020072    N° de la demande internationale :    PCT/CN2008/001496
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 19.08.2008
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : LATTICE POWER (JIANGXI) CORPORATION [CN/CN]; No.235, East Nanjing Road Nanchang, Jiangxi 330047 (CN) (Tous Sauf US).
JIANG, Fengyi [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LIU, Junlin [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WANG, Li [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : JIANG, Fengyi; (CN).
LIU, Junlin; (CN).
WANG, Li; (CN)
Mandataire : KING & WOOD PRC LAWYERS; 31/F, Office Tower A, 39 Dongsanhuan zhonglu, Chaoyang District, Beijing 100022 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE WITH SILICONE PROTECTIVE LAYER
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS À COUCHE PROTECTRICE EN SILICONE
Abrégé : front page image
(EN)One embodiment of the present invention provides a semiconductor light-emitting device which includes: a substrate, a first doped semiconductor layer situated above the substrate, a second doped semiconductor layer situated above the first doped semiconductor layer, a multi-quantum-well (MQW) active layer situated between the first and the second doped semiconductor layers. The device further includes a first electrode coupled to the first doped semiconductor layer, a second electrode coupled to the second doped semiconductor layer, and a silicone protective layer which substantially covers the sidewalls of the first and second doped semiconductor layers, the MQW active layer, and part of the horizontal surface of the second doped semiconductor layer which is not covered by the second electrode.
(FR)Un mode de réalisation de la présente invention porte sur un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs qui comprend : un substrat, une première couche semi-conductrice dopée située au-dessus du substrat, une seconde couche semi-conductrice dopée située au-dessus de la première couche semi-conductrice dopée et une couche active de puits quantique multiple (MQW) située entre les première et seconde couches semi-conductrices dopées. Le dispositif comprend en outre une première électrode couplée à la première couche semi-conductrice dopée, une seconde électrode couplée à la seconde couche semi-conductrice dopée, et une couche protectrice en silicone qui couvre sensiblement les parois latérales des première et seconde couches semi-conductrices dopées et de la couche active MQW, et une partie de la surface horizontale de la seconde couche semi-conductrice dopée qui n'est pas couverte par la seconde électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)