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1. (WO2010020070) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS À PASSIVATION DANS UNE COUCHE DU TYPE P
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/020070    N° de la demande internationale :    PCT/CN2008/001494
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 19.08.2008
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : LATTICE POWER (JIANGXI) CORPORATION [CN/CN]; No.235, East Nanjing Road Nanchang, Jiangxi 330047 (CN) (Tous Sauf US).
JIANG, Fengyi [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
TANG, Yingwen [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
MO, Chunlan [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WANG, Li [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : JIANG, Fengyi; (CN).
TANG, Yingwen; (CN).
MO, Chunlan; (CN).
WANG, Li; (CN)
Mandataire : KING & WOOD PRC LAWYERS; 31/F, Office Tower A, 39 Dongsanhuan zhonglu, Chaoyang District Beijing 100022 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE WITH PASSIVATION IN P-TYPE LAYER
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS À PASSIVATION DANS UNE COUCHE DU TYPE P
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light-emitting device includes a substrate, a first doped semiconductor layer, a second doped semiconductor layer situated above the first doped semiconductor layer, and a multi-quantum-well (MQW) active layer situated between the first and the second doped layers. The device also includes a first electrode coupled to the first doped semiconductor layer, wherein part of the first doped semiconductor layer is passivated, and wherein the passivated portion of the first doped semiconductor layer substantially insulates the first electrode from the edges of the first doped semiconductor layer, thereby reducing surface recombination. The device further includes a second electrode coupled to the second doped semiconductor layer and a passivation layer which substantially covers the sidewalls of the first and second doped semiconductor layers, the MQW active layer, and part of the horizontal surface of the second doped semiconductor layer which is not covered by the second electrode.
(FR)L'invention porte sur un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs qui comprend un substrat, une première couche semi-conductrice dopée, une seconde couche semi-conductrice dopée située au-dessus de la première couche semi-conductrice dopée, et une couche active de puits quantique multiple (MQW) située entre les première et seconde couches dopées. Le dispositif comprend également une première électrode couplée à la première couche semi-conductrice dopée, une partie de la première couche semi-conductrice dopée étant passivée, et la partie passivée de la première couche semi-conductrice dopée isolant sensiblement la première électrode des bords de la première couche semi-conductrice dopée, réduisant ainsi une recombinaison en surface. Le dispositif comprend en outre une seconde électrode couplée à la seconde couche semi-conductrice dopée et une couche de passivation qui couvre sensiblement les parois latérales des première et seconde couches semi-conductrices dopées et de la couche active MQW, et une partie de la surface horizontale de la seconde couche semi-conductrice dopée qui n'est pas couverte par la seconde électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)