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1. (WO2010020066) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS À PASSIVATION DOUBLE FACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/020066    N° de la demande internationale :    PCT/CN2008/001490
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 19.08.2008
CIB :
H01L 33/12 (2010.01)
Déposants : LATTICE POWER (JIANGXI) CORPORATION [CN/CN]; No. 235 East Nanjing Road Nanchang, Jiangxi 330047 (CN) (Tous Sauf US).
JIANG, Fengyi [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WANG, Li [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : JIANG, Fengyi; (CN).
WANG, Li; (CN)
Mandataire : KING & WOOD PRC LAWYERS; 31/F, Office Tower A, 39 Dongsanhuan Zhonglu, Chaoyang District, Beijing 100022 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE WITH DOUBLE-SIDED PASSIVATION
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS À PASSIVATION DOUBLE FACE
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating a semiconductor light-emitting device includes fabricating a multilayer semiconductor structure on a first substrate, wherein the multilayer semiconductor structure comprises a first doped semiconductor layer, an MQW active layer, a second doped semiconductor layer, and a first passivation layer. The method further involves patterning and etching part of the first passivation layer to expose the first doped semiconductor layer. A first electrode is then formed, which is coupled to the first doped semiconductor layer. Next, the multilayer structure is bonded to a second substrate; and the first substrate is removed. A second electrode is formed, which is coupled to the second doped semiconductor layer. Further, a second passivation layer is formed, which substantially covers the sidewalls of multilayer structure and part of the surface of the second doped semiconductor layer which is not covered by the second electrode.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs qui comprend la fabrication d'une structure semi-conductrice multicouche sur un premier substrat, la structure semi-conductrice multicouche comprenant une première couche semi-conductrice dopée, une couche active de puits quantique multiple (MQW), une seconde couche semi-conductrice dopée et une première couche de passivation. Le procédé comprend en outre la formation de motifs et la gravure d'une partie de la première couche de passivation afin d'exposer la première couche semi-conductrice dopée. Une première électrode est ensuite formée, qui est couplée à la première couche semi-conductrice dopée. Ensuite, la structure multicouche est collée à un second substrat; et le premier substrat est retiré. Une seconde électrode est formée, qui est couplée à la seconde couche semi-conductrice dopée. En outre, une seconde couche de passivation est formée, qui couvre sensiblement les parois latérales de la structure multicouche et une partie de la surface de la seconde couche semi-conductrice dopée qui n'est pas couverte par la seconde électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)