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1. (WO2010019992) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉTECTION DE DÉFAUT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019992    N° de la demande internationale :    PCT/AU2009/001054
Date de publication : 25.02.2010 Date de dépôt international : 18.08.2009
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), G01N 21/88 (2006.01), G01N 21/62 (2006.01), G01R 31/265 (2006.01)
Déposants : BT IMAGING PTY LTD [AU/AU]; Suite 5 Level 6 2-12 Foveaux Street Surry Hills, NSW 2010 (AU) (Tous Sauf US).
TRUPKE, Thorsten [DE/AU]; (AU) (US Seulement).
BARDOS, Robert, A. [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
MAXWELL, Ian, Andrew [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
WEBER, Jürgen [DE/AU]; (AU) (US Seulement)
Inventeurs : TRUPKE, Thorsten; (AU).
BARDOS, Robert, A.; (AU).
MAXWELL, Ian, Andrew; (AU).
WEBER, Jürgen; (AU)
Mandataire : SHELSTON IP; 60 Margaret Street Sydney, NSW 2000 (AU)
Données relatives à la priorité :
2008904265 19.08.2008 AU
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR DEFECT DETECTION
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE DÉTECTION DE DÉFAUT
Abrégé : front page image
(EN)Methods are presented for determining an indicator of shunt resistance of a solar cell or a solar cell precursor. The methods involve applying at least one low intensity illumination to the cell or precursor to produce photoluminescence, detecting a resulting level of the photoluminescence, and calculating from the level of detected photoluminescence the likely level of shunt resistance of the solar cell. Preferred methods are applicable to in-line measurement of samples during solar cell manufacture, enabling a number of corrective or remedial actions to be taken. Methods are also presented for monitoring edge isolation processes in solar cell manufacture. Lock-in techniques can be employed to filter noise from the photoluminescence signal.
(FR)L'invention porte sur des procédés pour déterminer un indicateur de résistance en parallèle d'une cellule solaire ou d'un précurseur de cellule solaire. Les procédés consistent à appliquer au moins un éclairement de faible densité à la cellule ou au précurseur afin de produire une photoluminescence, à détecter un niveau résultant de la photoluminescence, et à calculer, à partir du niveau de photoluminescence détecté, le niveau probable de résistance en parallèle de la cellule solaire. Des procédés préférés sont applicables à une mesure en ligne d'échantillons durant une fabrication de cellules solaires, permettant d'entreprendre un certain nombre d'actions de correction ou de rattrapage. L’invention concerne également des procédés pour surveiller des processus d'isolation de bord dans la fabrication de cellules solaires. Des techniques d'asservissement peuvent être utilisées pour éliminer par filtrage le bruit du signal de photoluminescence.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)