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1. (WO2010019889) RÉDUCTION DE LA CORROSION DANS DES CIRCUITS INTÉGRÉS EMPILÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019889    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/053895
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 14.08.2009
CIB :
H01L 23/10 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 23/20 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US) (Tous Sauf US).
GU, Shiqun [US/US]; (US) (US Seulement).
NOWAK, Matthew [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GU, Shiqun; (US).
NOWAK, Matthew; (US)
Mandataire : PAULEY, Nicholas, J.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/192,514 15.08.2008 US
Titre (EN) CORROSION CONTROL OF STACKED INTEGRATED CIRCUITS
(FR) RÉDUCTION DE LA CORROSION DANS DES CIRCUITS INTÉGRÉS EMPILÉS
Abrégé : front page image
(EN)A system and method prevent corrosive elements (or at- least the oxidizing agent) from making contact with metal connections at the interface between two layers of a stacked IC device (10). When layers are positioned in proximity to each other, a cavity is formed at the boundary of the planar surfaces of the layers. This cavity is bounded by a peripheral seal (110/113) between the layers. In one embodiment, a vacuum is created within the cavity thereby reducing the corrosive atmosphere within the cavity. In another embodiment, the cavity is filled with an inert gas, such as argon. Once the cavity has oxidizing elements reduced, the peripheral seal (110/113) can be encapsulated to prevent seepage of contaminants into the cavity.
(FR)La présente invention concerne un système et un procédé permettant d’empêcher que des éléments corrosifs (ou au moins l’agent oxydant) établissent un contact avec des connexions métalliques sur l’interface entre deux couches d’un dispositif à CI empilés (10). Lorsque les couches sont positionnées à proximité les unes des autres, une cavité est formée à la limite des surfaces planes des couches. Cette cavité est liée par un joint périphérique (110/113) entre les couches. Dans un mode de réalisation, un vide est créé dans la cavité, réduisant de ce fait l’atmosphère corrosive au sein de la cavité. Dans un autre mode de réalisation, la cavité est remplie d’un gaz inerte tel que l’argon. Dès que les éléments oxydants de la cavité sont réduits, le joint périphérique (110/113) peut être encapsulé pour prévenir le suintement de contaminants dans la cavité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)