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1. (WO2010019887) ELECTRODES À PILIERS STRUCTURÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019887    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/053893
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 14.08.2009
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0352 (2006.01), H01L 51/44 (2006.01)
Déposants : BROOKHAVEN SCIENCE ASSOCIATES [US/US]; 40 Brookhaven Avenue Building 460 Upton, New York 11973-5000 (US) (Tous Sauf US).
NAM, Chang-Yong [KR/US]; (US) (US Seulement).
BLACK, Charles, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
GEARBA, Ioana, R. [RO/US]; (US) (US Seulement).
ALLEN, Jonathan, Edward [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NAM, Chang-Yong; (US).
BLACK, Charles, T.; (US).
GEARBA, Ioana, R.; (US).
ALLEN, Jonathan, Edward; (US)
Mandataire : SACK, Alan, M.; Locke Lord Bissell & Liddell, LLP 3 World Financial Center New York, NY 10281 (US)
Données relatives à la priorité :
61/088,826 14.08.2008 US
Titre (EN) STRUCTURED PILLAR ELECTRODES
(FR) ELECTRODES À PILIERS STRUCTURÉS
Abrégé : front page image
(EN)An electrode comprising a plurality of structured pillars dispersed across a base contact and its method of manufacture are described. In one embodiment the structured pillars are columnar structures having a circular cross-section and are dispersed across the base surface as a uniformly spaced two-dimensional array. The height, diameter, and separation of the structured pillars are preferably on the nanometer scale and, hence, electrodes comprising the pillars are identified as nanostructured pillar electrodes. The nanostructured pillars may be formed, for example, by deposition into or etching through a surface template using standard lithography processes. Structured pillar electrodes offer a number of advantages when incorporated into optoelectronic devices such as photovoltaic cells. These include improved charge collection efficiency via a reduction in the carrier transport distance and an increase in electrode-photoactive layer interface surface area. These improvements contribute to an increase in the power conversion efficiency of photovoltaic devices.
(FR)La présente invention concerne une électrode comprenant une pluralité de piliers structurés dispersés sur un contact de base, et son procédé de fabrication. Dans un mode de réalisation, les piliers structurés sont des structures colonnaires présentant une coupe transversale circulaire et sont répartis sur la surface de base sous forme d'un réseau bidimensionnel à espacement uniforme. La hauteur, le diamètre des piliers structurés et l'écart entre eux sont de préférence de l'ordre du nanomètre et, ainsi, les électrodes comprenant les piliers sont identifiées comme étant des électrodes à piliers nanostructurés. Les piliers nanostructurés peuvent être formés, par exemple, par dépôt dans un modèle de surface ou par gravure à travers celui-ci, à l'aide de procédés standard de lithographie. Les électrodes à piliers structurés proposent un certain nombre d'avantages lorsqu'elles sont intégrées à des dispositifs optoélectroniques tels que des piles photovoltaïques. Ces avantages comprennent une efficacité améliorée de collecte de charge au moyen de la réduction de la distance de transport des porteurs de charge et d'une augmentation de la surface spécifique de l'interface entre l'électrode et la couche photoactive. Ces améliorations contribuent à augmenter l'efficacité de conversion de puissance des dispositifs photovoltaïques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)