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1. (WO2010019868) PROCÉDÉ À DOUBLE PUISSANCE DANS UN CIRCUIT DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019868    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/053870
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 14.08.2009
CIB :
G11C 8/08 (2006.01), G11C 11/417 (2006.01), G11C 5/14 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International Ip Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US) (Tous Sauf US).
PARK, Dongkyu [KR/US]; (US) (US Seulement).
YOON, Sei, Seung [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Dongkyu; (US).
YOON, Sei, Seung; (US)
Mandataire : PAULEY, Nicholas, J.; 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
12/192,561 15.08.2008 US
Titre (EN) DUAL POWER SCHEME IN MEMORY CIRCUIT
(FR) PROCÉDÉ À DOUBLE PUISSANCE DANS UN CIRCUIT DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor memory device includes address signal level shifters configured to transform a low level address signal into a higher level address signal. A decoder (102) is configured to receive the higher level address signal and, in response, provide word line signals. Write drivers (305) receive low level data input signals and configure bitlines (109) in response to the received input. Memory cells (111) are responsive to the word line signals and to the configured bit lines for storing data therein.
(FR)Un dispositif de mémoire à semi-conducteurs comprend des dispositifs de décalage de niveau de signal d'adresse configurés pour transformer un signal d'adresse de faible niveau en un signal d'adresse de niveau plus élevé. Un décodeur (102) est configuré pour recevoir le signal d'adresse de niveau plus élevé et, en réponse, fournir des signaux de ligne de mot. Des dispositifs de commande d'écriture (305) reçoivent des signaux d'entrée de données de faible niveau et configurent des lignes de bit (109) en réponse à l'entrée reçue. Les cellules de mémoire (111) sont sensibles aux signaux de ligne de mot et aux lignes de bit configurées pour mémoriser des données dans celles-ci.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)