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1. (WO2010019794) PROCÉDÉS D'INTÉGRATION DE FILMS DE CARBONE DANS DES MÉMOIRES BIDIMENSIONNELLES ET TRIDIMENSIONNELLES ET MÉMOIRES FORMÉES À PARTIR DE CEUX-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019794    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/053745
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 13.08.2009
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), H01L 21/8239 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D, LLC [US/US]; 601 McCarthy Blvd. Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
XU, Huiwen [CN/US]; (US) (US Seulement).
PING, Er-Xuan [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : XU, Huiwen; (US).
PING, Er-Xuan; (US)
Mandataire : DUGAN, Brian, M.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/088,668 13.08.2008 US
Titre (EN) INTEGRATION METHODS FOR CARBON FILMS IN TWO-AND THREE-DIMENSIONAL MEMORIES AND MEMORIES FORMED THEREFROM
(FR) PROCÉDÉS D'INTÉGRATION DE FILMS DE CARBONE DANS DES MÉMOIRES BIDIMENSIONNELLES ET TRIDIMENSIONNELLES ET MÉMOIRES FORMÉES À PARTIR DE CEUX-CI
Abrégé : front page image
(EN)Methods of forming memory cells are disclosed which include forming a pillar above a substrate, the pillar including a steering element and a memory element, and performing one or more etches vertically through the pillar to form multiple memory cells. Memory cells formed from such methods, as well as numerous other aspects are also disclosed.
(FR)L'invention concerne des procédés de formation de cellules de mémoire qui comprennent la formation d'un pilier au-dessus d'un substrat, le pilier comprenant un élément d'orientation et un élément de mémoire, et la réalisation d'une ou plusieurs gravures verticalement à travers le pilier pour former de multiples cellules de mémoire. Des cellules de mémoire formées à partir de tels procédés, ainsi que de nombreux autres aspects sont également décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)