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1. (WO2010019789) PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR AUGMENTER UNE DENSITÉ DE MÉMOIRE EN UTILISANT UN PARTAGE DE COUCHE DE DIODE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019789    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/053737
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 13.08.2009
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), H01L 21/8239 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D, LLC [US/US]; 601 McCarthy Blvd. Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
XU, Huiwen [CN/US]; (US) (US Seulement).
PING, Er-Xuan [US/US]; (US) (US Seulement).
SCHEUERLEIN, Roy, E. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : XU, Huiwen; (US).
PING, Er-Xuan; (US).
SCHEUERLEIN, Roy, E.; (US)
Mandataire : DUGAN, Brian, M.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/088,665 13.08.2008 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR INCREASING MEMORY DENSITY USING DIODE LAYER SHARING
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR AUGMENTER UNE DENSITÉ DE MÉMOIRE EN UTILISANT UN PARTAGE DE COUCHE DE DIODE
Abrégé : front page image
(EN)Methods of forming memory cells are disclosed which include forming a pillar above a substrate, the pillar including a steering element and a memory element, and performing one or more etches vertically through the memory element, but not the steering element, to form multiple memory cells that share a single steering element. Memory cells formed from such methods, as well as numerous other aspects are also disclosed.
(FR)L'invention concerne des procédés de formation de cellules de mémoire qui comprennent la formation d'un pilier au-dessus d'un substrat, le pilier comprenant un élément d'orientation et un élément de mémoire, et en effectuant une ou plusieurs gravures verticalement à travers l'élément de mémoire, mais pas l'élément d'orientation, pour former des cellules de mémoire multiples qui partagent un seul élément d'orientation. Des cellules de mémoire formées à partir de tels procédés, ainsi que de nombreux autres aspects sont également décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)