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1. (WO2010019699) TECHNIQUES DE FORMATION DE JONCTIONS TRÈS PEU PROFONDES AVEC DES SUBSTRATS TRAITÉS À L'HÉLIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019699    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/053593
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 12.08.2009
CIB :
H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
HATEM, Christopher, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
GODET, Ludovic [FR/US]; (US) (US Seulement).
KONTOS, Alexander, C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HATEM, Christopher, R.; (US).
GODET, Ludovic; (US).
KONTOS, Alexander, C.; (US)
Mandataire : CHOI, Changhoon; (US)
Données relatives à la priorité :
12/339,295 19.12.2008 US
61/088,809 14.08.2008 US
Titre (EN) USJ TECHNIQUES WITH HELIUM-TREATED SUBSTRATES
(FR) TECHNIQUES DE FORMATION DE JONCTIONS TRÈS PEU PROFONDES AVEC DES SUBSTRATS TRAITÉS À L'HÉLIUM
Abrégé : front page image
(EN)A method of using helium to create ultra shallow junctions is disclosed. A pre-implantation amorphization using helium has significant advantages. For example, it has been shown that dopants will penetrate the substrate only to the amorphous-crystalline interface, and no further. Therefore, by properly determining the implant energy of helium, it is possible to exactly determine the junction depth. Increased doses of dopant simply reduce the substrate resistance with no effect on junction depth. Furthermore, the lateral straggle of helium is related to the implant energy and the dose rate of the helium PAI, therefore lateral diffusion can also be determined based on the implant energy and dose rate of the helium PAI. Thus, dopant may be precisely implanted beneath a sidewall spacer, or other obstruction.
(FR)L'invention porte sur un procédé d'utilisation de l'hélium pour créer des jonctions très peu profondes. Une amorphisation de pré-implantation à l'aide de l'hélium a des avantages significatifs. Par exemple, il a été montré que des dopants pénétreront dans le substrat seulement jusqu'à l'interface amorphe-cristalline, et pas plus loin. Par conséquent, en déterminant de façon appropriée l'énergie d'implantation de l'hélium, il est possible de déterminer exactement la profondeur de la jonction. Des doses accrues de dopant réduisent simplement la résistance du substrat sans effet sur la profondeur de la jonction. De plus, la dispersion latérale de l'hélium est corrélée à l'énergie d'implantation et au débit de dose du PAI d’hélium, d'où il résulte qu'une diffusion latérale peut également être déterminée sur la base de l'énergie d'implantation et du débit de dose du PAI d’hélium. Ainsi, un dopant peut être implanté de façon précise au-dessous d'un espaceur de paroi latérale, ou autre obstruction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)