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1. (WO2010019616) ISOLATEUR SOUS VIDE MULTICOUCHE À GRADIENT ÉLEVÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019616    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/053470
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 11.08.2009
CIB :
H05H 7/22 (2006.01)
Déposants : LAWRENCE LIVERMORE NATIONAL SECURITY, LLC [US/US]; 7000 East Avenue Livermore, California 94551-9234 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : HARRIS, John Richardson; (US).
SANDERS, David M.; (US).
HAWKINS, Steven A.; (US).
FALABELLA, Steven; (US)
Données relatives à la priorité :
61/088,645 13.08.2008 US
Titre (EN) HIGH GRADIENT MULTILAYER VACUUM INSULATOR
(FR) ISOLATEUR SOUS VIDE MULTICOUCHE À GRADIENT ÉLEVÉ
Abrégé : front page image
(EN)A high gradient multilayer vacuum insulator (HGI) with increased resistance to vacuum arcing to improve electrical strength. In an exemplary embodiment, the HGI includes a plurality of conductive and dielectric layers stacked in alternating arrangement so that the edges of the layers together form a vacuum-insulator interface and the stack has an overall length Ls. The dielectric layers each have a thickness I that is less than (see formulae) where It It is the transitional dielectric layer thickness below which failure of the vacuum insulator is by vacuum arcing, EBD is the breakdown field required to initiate vacuum arcing across one of said dielectric layers, and EM is the breakdown field required to initiate surface flashover across a monolithic dielectric material of length Ls.
(FR)L'invention porte sur un isolateur sous vide multicouche à gradient élevé (HGI) ayant une résistance accrue à une formation d'arc sous vide pour améliorer une résistance électrique. Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, le HGI comprend une pluralité de couches conductrices et diélectriques empilées selon un agencement alterné, de telle sorte que les bords des couches forment ensemble une interface d'isolateur sous vide et l'empilement a une longueur globale Ls. Les couches diélectriques ont chacune une épaisseur I qui est inférieure à It (voir formule) où It est l'épaisseur de couche diélectrique de transition au-dessous de laquelle une défaillance de l'isolateur sous vide provient d'une formation d'arc sous vide, EBD est le champ de claquage requis pour initier une formation d'arc sous vide à travers l'une desdites couches diélectriques, et EM est le champ de claquage requis pour initier une inflammation de surface sur un matériau diélectrique monolithique de longueur Ls.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)