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1. (WO2010019552) COMPOSITIONS ET PROCÉDÉS DE FORMATION DE DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019552    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/053375
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 11.08.2009
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01)
Déposants : E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY [US/US]; 1007 Market Street Wilmington, DE 19898 (US) (Tous Sauf US).
NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY [US/US]; 920 Main Campus Drive Venture II Building, Suite 400 Campus Box 8210 Raleigh, NC 27695-8210 (US) (Tous Sauf US).
BORLAND, William [US/US]; (US) (US Seulement).
MARIA, Jon-Paul [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BORLAND, William; (US).
MARIA, Jon-Paul; (US)
Mandataire : GORMAN, Thomas, W.; E. I. Du Pont De Nemours And Company Legal Patent Records Center 4417 Lancaster Pike Wilmington, DE 19805 (US)
Données relatives à la priorité :
61/088,504 13.08.2008 US
Titre (EN) COMPOSITIONS AND PROCESSES FOR FORMING PHOTOVOLTAIC DEVICES
(FR) COMPOSITIONS ET PROCÉDÉS DE FORMATION DE DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES
Abrégé : front page image
(EN)Photovoltaic cells, including silicon solar cells, and methods and compositions for making such photovoltaic cells are provided. A silicon substrate having an n-type silicon layer is provided with a silicon nitride layer, a reactive metal in contact with said silicon nitride layer, and a non-reactive metal in contact with the reactive metal. This assembly is fired to form a low Shottky barrier height contact comprised of metal nitride, and optionally metal silicide, on the silicon substrate, and a conductive metal electrode in contact with said low Shottky barrier height contact. The reactive metal may be titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, and tantalum, and combinations thereof, and the non-reactive metal may be silver, tin, bismuth, lead, antimony, arsenic, indium, zinc, germanium, nickel, phosphorus, gold, cadmium, berrylium, and combinations thereof.
(FR)L'invention porte sur des cellules photovoltaïques, comprenant des cellules solaires en silicium, et sur des procédés et des compositions de fabrication de telles cellules photovoltaïques. Un substrat en silicium ayant une couche de silicium de type n comporte une couche de nitrure de silicium, un métal réactif en contact avec ladite couche de nitrure de silicium et un métal non réactif en contact avec le métal réactif. Cet ensemble est cuit pour former un contact à faible hauteur de barrière de Shottky composé de nitrure de métal, et facultativement de siliciure de métal, sur le substrat en silicium, et une électrode métallique conductrice en contact avec ledit contact à faible hauteur de barrière de Shottky. Le métal conducteur peut être du titane, du zirconium, de l'hafnium, du vanadium, du niobium, et du tantale, et des combinaisons de ceux-ci et le métal non réactif peut être de l'argent, de l'étain, du bismuth, du plomb, de l'antimoine, de l'arsenic, de l'indium, du zinc, du germanium, du nickel, du phosphore, de l'or, du cadmium, du béryllium et des combinaisons de ceux-ci.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)