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1. (WO2010019532) COMPOSITIONS ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019532    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/053342
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 11.08.2009
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01)
Déposants : E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY [US/US]; 1007 Market Street Wilmington, DE 19898 (US) (Tous Sauf US).
NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY [US/US]; 920 Main Campus Drive Venture II Building, Suite 400 Campus Box 8210 Raleigh, NC 27695-8210 (US) (Tous Sauf US).
BORLAND, William [US/US]; (US) (US Seulement).
MARIA, Jon-Paul [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BORLAND, William; (US).
MARIA, Jon-Paul; (US)
Mandataire : GORMAN, Thomas, W.; E. I. du Pont de Nemours and Company Legal Patent Records Center 4417 Lancaster Pike Wilmington, DE 19805 (US)
Données relatives à la priorité :
61/088,473 13.08.2008 US
Titre (EN) COMPOSITIONS AND PROCESSES FOR FORMING PHOTOVOLTAIC DEVICES
(FR) COMPOSITIONS ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES
Abrégé : front page image
(EN)Methods and compositions for making photovoltaic devices are provided. A metal that is reactive with silicon is placed in contact with the n-type silicon layer of a silicon substrate. The silicon substrate and reactive metal are fired to form a silicide contact to the n-type silicon layer. A conductive metal electrode is placed in contact with the silicide contact. A silicon solar cell made by such methods is also provided.
(FR)L'invention porte sur des procédés et des compositions de fabrication de dispositifs photovoltaïques. Un métal qui réagit avec du silicium est placé en contact avec la couche de silicium de type n d'un substrat de silicium. Le substrat de silicium et le métal réactif sont cuits pour former un contact de siliciure sur la couche en silicium de type n. Une électrode métallique conductrice est placée en contact avec le contact de siliciure. Une cellule solaire de silicium faite par de tels procédés est également fournie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)