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1. (WO2010019495) MODIFICATION DE LA FONCTION D’EXTRACTION EFFICACE À L’AIDE D’UNE IMPLANTATION IONIQUE PENDANT UNE INTÉGRATION DE GRILLE MÉTALLIQUE À FONCTION D’EXTRACTION DOUBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019495    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/053263
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 10.08.2009
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
CHUDZIK, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
FRANK, Martin, M. [DE/US]; (US) (US Seulement).
HO, Herbert, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
HURLEY, Mark, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
JHA, Rashmi [IN/US]; (US) (US Seulement).
MOUMEN, Naim [DE/US]; (US) (US Seulement).
NARAYANAN, Vijay [IN/US]; (US) (US Seulement).
PARK, Dae-Gyu [KR/US]; (US) (US Seulement).
PARUCHURI, Vamsi, K. [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHUDZIK, Michael; (US).
FRANK, Martin, M.; (US).
HO, Herbert, L.; (US).
HURLEY, Mark, J.; (US).
JHA, Rashmi; (US).
MOUMEN, Naim; (US).
NARAYANAN, Vijay; (US).
PARK, Dae-Gyu; (US).
PARUCHURI, Vamsi, K.; (US)
Mandataire : PETROKAITIS, Joseph; (US)
Données relatives à la priorité :
12/190,220 12.08.2008 US
Titre (EN) CHANGING EFFECTIVE WORK FUNCTION USING ION IMPLANTATION DURING DUAL WORK FUNCTION METAL GATE INTEGRATION
(FR) MODIFICATION DE LA FONCTION D’EXTRACTION EFFICACE À L’AIDE D’UNE IMPLANTATION IONIQUE PENDANT UNE INTÉGRATION DE GRILLE MÉTALLIQUE À FONCTION D’EXTRACTION DOUBLE
Abrégé : front page image
(EN)Ion implantation to change an effective work function for dual work function metal gate integration is presented. One method may include forming a high dielectric constant (high-k) layer over a first-type field effect transistor (FET) region and a second- type FET region; forming a metal layer having a first effective work function compatible for a first-type FET over the first-type FET region and the second-type FET region; and changing the first effective work function to a second, different effective work function over the second-type FET region by implanting a species into the metal layer over the second-type FET region.
(FR)La présente invention concerne une implantation ionique permettant de modifier une fonction d’extraction efficace pendant une intégration de grille métallique à fonction d’extraction double. Un procédé peut comprendre la formation d’une couche à constante diélectrique élevée (k élevée) sur une région de transistor à effet de champ (TEC) du premier type et une région TEC du second type ; la formation d’une couche métallique présentant une première fonction d’extraction efficace compatible pour un TEC du premier type sur la région de TEC du premier type et la région de TEC du second type ; et la modification de la première fonction d’extraction efficace en une seconde fonction d’extraction efficace différente sur la région de TEC du second type par l’implantation d’une espèce dans la couche métallique sur la région de TEC du second type.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)