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1. (WO2010019490) GARNITURE DE PROMOTEUR D’ADHÉRENCE ENROBANTE POUR DES INTERCONNEXIONS MÉTALLIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019490    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/053256
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 10.08.2009
CIB :
H01L 23/52 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
CHENG, Tien-Jen [US/US]; (US) (US Seulement).
LI, Zhengwen, O. [CN/US]; (US) (US Seulement).
WONG, Keith, Kwong Hon [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHU, Huilong [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHENG, Tien-Jen; (US).
LI, Zhengwen, O.; (US).
WONG, Keith, Kwong Hon; (US).
ZHU, Huilong; (US)
Mandataire : LI, Wenjie; IBM Corporation 2070 Route 52 Bldg. 321 / Zip 482 Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Données relatives à la priorité :
12/190,906 13.08.2008 US
Titre (EN) CONFORMAL ADHESION PROMOTER LINER FOR METAL INTERCONNECTS
(FR) GARNITURE DE PROMOTEUR D’ADHÉRENCE ENROBANTE POUR DES INTERCONNEXIONS MÉTALLIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A dielectric layer (10) is patterned with at least one line trough and/or at least one via cavity (15). A metallic nitride liner (20) is formed on the surfaces of the patterned dielectric layer (10). A metal liner (30) is formed on the surface of the metallic nitride liner (20). A conformal copper nitride layer (40) is formed directly on the metal liner (30) by atomic layer deposition (ALD) or chemical vapor deposition (CVD). A Cu seed layer (50) is formed directly on the conformal copper nitride layer (40). The at least one line trough and/or the at least one via cavity (15) are filled with an electroplated material (60). The direct contact between the conformal copper nitride layer (40) and the Cu seed layer (50) provides enhanced adhesion strength. The conformal copper nitride layer (40) may be annealed to covert an exposed outer portion into a contiguous Cu layer, which may be employed to reduce the thickness of the Cu seed layer (50).
(FR)Une couche diélectrique (10) est configurée avec au moins un chemin de câbles et/ou au moins une cavité de trou de connexion (15). Une garniture en nitrure métallique (20) est formée sur les surfaces de la couche diélectrique configurée (10). Une garniture métallique (30) est formée sur la surface la garniture en nitrure métallique (20). Une couche de nitrure de cuivre enrobante (40) est formée directement sur la garniture métallique (30) par dépôt en couches atomiques (ALD) ou dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Une couche de germe de Cu (50) est formée directement sur la couche de nitrure de cuivre enrobante (40). Le ou les chemins de câbles et/ou la ou les cavités de trou de connexion (15) sont remplis d’un matériau à électrodéposition (60). Le contact direct entre la couche de nitrure de cuivre enrobante (40) et la couche de germe de Cu (50) donne une force d’adhérence améliorée. La couche de nitrure de cuivre enrobante (40) peut être recuite pour convertir une partie externe exposée en une couche contiguë de Cu, qui peut être utilisée pour réduire l’épaisseur de la couche de germe de Cu (50).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)