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1. (WO2010019379) CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE COMPRENANT UNE COUCHE MINCE AYANT UNE JONCTION ARRIÈRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019379    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/052020
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 29.07.2009
CIB :
H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : TWIN CREEKS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 3930 North First Street Suite 10 San Jose, CA 95134 (US) (Tous Sauf US).
HILALI, Mohamed, M. [EG/US]; (US) (US Seulement).
PETTI, Christopher, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HILALI, Mohamed, M.; (US).
PETTI, Christopher, J.; (US)
Mandataire : MUELLER, Heather; The Mueller Law Office, P.C. 12951 Harwick Lane San Diego, CA 92130 (US)
Données relatives à la priorité :
12/189,158 10.08.2008 US
Titre (EN) PHOTOVOLTAIC CELL COMPRISING A THIN LAMINA HAVING A REAR JUNCTION AND METHOD OF MAKING
(FR) CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE COMPRENANT UNE COUCHE MINCE AYANT UNE JONCTION ARRIÈRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Fabrication of a photovoltaic cell comprising a thin semiconductor lamina may require additional processing after the semiconductor lamina is bonded to a receiver. To minimize high-temperature steps after bonding, the p-n junction is formed at the back of the cell, at the bonded surface. In some embodiments, the front surface of the semiconductor lamina is not doped or is locally doped using low-temperature methods. The base resistivity of the photovoltaic cell may be reduced, allowing a front surface field to be reduced or omitted.
(FR)L'invention porte sur la fabrication d'une cellule photovoltaïque comprenant une couche semi-conductrice mince qui peut nécessiter un traitement supplémentaire après que la couche semi-conductrice est liée à un récepteur. Pour rendre minimales des étapes à haute température après liaison, la jonction p-n est formée à l'arrière de la cellule, au niveau de la surface liée. Dans certains modes de réalisation, la surface avant de la couche semi-conductrice n'est pas dopée ou est localement dopée à l'aide de procédés à basse température. La résistivité de base de la cellule photovoltaïque peut être réduite, permettant à un champ de surface avant d'être réduit ou omis.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)