WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010019229) SYNTHÈSE DE NANOCOMPOSITES DE CARBONE-SILICIUM ORDONNÉS MÉSOPOREUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019229    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/004610
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 12.08.2009
CIB :
C04B 35/573 (2006.01), C04B 38/00 (2006.01)
Déposants : CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, NY 14831 (US) (Tous Sauf US).
DAWES, Steven, B. [US/US]; (US) (US Seulement).
SENARATNE, Wageesha [LK/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DAWES, Steven, B.; (US).
SENARATNE, Wageesha; (US)
Mandataire : RUSSELL, Michael, W.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/190,867 13.08.2008 US
Titre (EN) SYNTHESIS OF ORDERED MESOPOROUS CARBON-SILICON NANOCOMPOSITES
(FR) SYNTHÈSE DE NANOCOMPOSITES DE CARBONE-SILICIUM ORDONNÉS MÉSOPOREUX
Abrégé : front page image
(EN)A method for preparing ordered mesoporous silicon carbide (OMSiC) nanocomposites uses an evaporation-induced self-assembly of a precursor composition that preferably includes a phenolic resin, pre-hydrolyzed tetraethyl orthosilicate, a surfactant, and butanol. The precursor mixture is dried, cross-linked and heated to form ordered mesoporous silicon carbide material having discrete domains of ordered, mesoscale pores.
(FR)Cette invention concerne un procédé de préparation de nanocomposites de carbure de silicium (OMSiC) ordonnés et mésoporeux utilisant auto-assemblage induit par évaporation d’une composition de précurseurs contenant de préférence une résine phénolique, un orthosilicate de tétraéthyle préhydrolysé, un tensioactif et du butanol. Le mélange de précurseurs est séché, réticulé et chauffé jusqu’à former un matériau de carbure de silicium ordonné et mésoporeux contenant des domaines discrets de pores ordonnés à l’échelle mésoscopique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)